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EBD10RD4ABFA
直流特性1 （ TA = 0 + 70 ° C， VDD = 2.5V ± 0.2V ， VSS = 0V ）
参数
工作电流（ ACTV - PRE ）
工作电流
（ ACTV - READ - PRE ）
闲置功耗降低待机电流
浮动空闲待机电流
安静的空闲待机电流
主动关机
待机电流
主动待机电流
工作电流
（突发读取操作）
工作电流
（突发写操作）
自动刷新当前
自刷新电流
工作电流
（ 4银行交织）
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7A
GRADE
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
-6B
-7A ， -7B
马克斯。
3165
2830
3525
3190
520
454
1185
1030
915
850
825
760
1725
1480
4065
3460
4065
3460
5685
5260
538
472
8025
6880
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
CKE
≥
VIH ，
的tRC =的tRC （分钟）
CKE
≥
VIH ，BL = 4，
CL = 3.5 ，
的tRC =的tRC （分钟）
CKE
≤
VIL
笔记
1, 2, 9
1, 2, 5
4
CKE
≥
VIH ， / CS
≥
VIH ，
4, 5
DQ ， DQS ， DM = VREF
CKE
≥
VIH ， / CS
≥
VIH ，
4, 10
DQ ， DQS ， DM = VREF
CKE
≤
VIL
CKE
≥
VIH ， / CS
≥
VIH
tRAS的= tRAS的（最大）
CKE
≥
VIH ，BL = 2，
CL = 3.5
CKE
≥
VIH ，BL = 2，
CL = 3.5
tRFC = tRFC （分钟） ，
输入
≤
VIL或
≥
VIH
输入
≥
VDD - 0.2 V
输入
≤
0.2 V
BL = 4
3
3, 5, 6
1, 2, 5, 6
1, 2, 5, 6
5, 6, 7
注释。 1.这些IDD数据条件下， DQ引脚没有连接下测得的。
2.一家银行的操作。
3.一家银行主动。
4.所有的银行闲置。
5.命令/地址转换一次每一个周期。
6.数据/数据掩码过渡两次每一个周期。
7.4银行主动。只有一个银行的的tRC = tRC的运行（分钟）
8.在该表上的IDD数据测量关于TCK = TCK （分钟）的总称。
9.命令/地址过渡每隔2个时钟周期。
10.命令/地址稳定在
≥
VIH或
≤
VIL 。
直流特性2 （ TA = 0 + 70 ° C， VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS = 0V ）
（ DDR SDRAM组件规格）
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流
输出低电流
符号
IL
IOZ
IOH
IOL
分钟。
–2
–5
–15.2
15.2
马克斯。
2
5
—
—
单位
A
A
mA
mA
测试条件
VDD
≥
VIN
≥
VSS
VDDQ
≥
VOUT
≥
VSS
VOUT = 1.95V
VOUT = 0.35V
笔记
初步数据表E0274E40 （版本4.0 ）
11
