位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第539页 > EBD10RD4ABFA-7B > EBD10RD4ABFA-7B PDF资料 > EBD10RD4ABFA-7B PDF资料1第10页
EBD10RD4ABFA
电气规格
所有电压参考VSS （ GND） 。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOUT
PT
TA
TSTG
价值
-1.0到+3.6
-1.0到+3.6
50
18
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
1
记
注： 1 。 DDR SDRAM组件规范
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
DC工作条件（ TA = 0 + 70 ° C） （ DDR SDRAM组件规格）
参数
电源电压
符号
VDD ， VDDQ
VSS
输入参考电压
终止电压
输入高电压
输入低电压
输入电压电平，
CK和/ CK投入
输入差分交叉点
电压，CK和/ CK的输入端
输入差分电压，
CK和/ CK投入
VREF
VTT
VIH （DC）的
VIL （DC）的
VIN （DC）的
VIX （ DC ）
VID （DC）的
民
2.3
0
0.49
×
VDDQ
VREF - 0.04
VREF + 0.15
–0.3
–0.3
0.5
×
VDDQ
0.2V
0.36
典型值
2.5
0
0.50
×
VDDQ
VREF
—
—
—
0.5
×
VDDQ
—
最大
2.7
0
0.51
×
VDDQ
VREF + 0.04
VDDQ + 0.3
VREF - 0.15
VDDQ + 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
2
3
4
笔记
1
0.5
×
VDDQ + 0.2V V
VDDQ + 0.6
V
5, 6
注：1 。
2.
3.
4.
5.
6.
VDDQ必须小于或等于VDD。
VIH被允许超过VDD上升到3.6V的时间短于或等于5ns的。
VIL允许外展低于VSS下降到-1.0V的期间短于或等于5ns的。
VIN （ DC ）指定一个允许直流执行每个差分输入。
VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。
VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V
如果测量。
初步数据表E0274E40 （版本4.0 ）
10
