恩智浦半导体
BUK9Y30-75B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
特征
参数
漏源
击穿电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25
°C
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V;
T
j
= -55
°C
V
GS （ TH）
栅源阈值I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
电压
T
j
= 175
°C;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25
°C;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
T
j
= -55
°C;
SEE
图11
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 75 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 175
°C
V
DS
= 75 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25
°C
I
GSS
栅极漏电流
V
DS
= 0 V; V
GS
= +15 V;
T
j
= 25
°C
V
DS
= 0 V; V
GS
= -15 V;
T
j
= 25
°C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 175
°C;
SEE
图12
和
13
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图12
和
13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25
°C
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
Q
r
源 - 漏电压
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图16
-
-
-
0.85
101
115
1.2
-
-
V
ns
nC
民
75
70
0.5
1.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.5
-
-
0.02
2
2
-
-
27
25
23
最大
-
-
-
2
2.3
500
1
100
100
34
72
32
30
28
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
nA
nA
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
静态特性
反向恢复时间我
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
DS
= 30 V;
恢复电荷
T
j
= 25
°C
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图15
I
D
= 25 A; V
DS
= 60 V; V
GS
= 5 V;
T
j
= 25
°C;
SEE
图14
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
19
5
9
1550
150
60
-
-
-
2070
179
80
nC
nC
nC
pF
pF
pF
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