恩智浦半导体
BUK9Y30-75B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
10
3
I
D
(A)
10
2
03no14
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μs
100
μs
10
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
° ℃;我
DM
是单脉冲
图4.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
-
最大
1.8
单位
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
03nm01
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10
-1
P
0.05
0.02
t
p
δ
=
t
p
T
t
T
10
-2
10
-6
单发
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
BUK9Y30-75B_4
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牧师04 - 2008年4月10日
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