BUK9Y30-75B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
M3D748
牧师01 - 2004年7月14日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
飞利浦高性能汽车（ HPA ）的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
极低的通态电阻
s
175
°C
评级
s
Q101标准
s
兼容逻辑电平。
1.3应用
s
汽车系统
s
电机，灯具和螺线管
s
12 V ， 24 V和42 V负载
s
通用电源开关。
1.4快速参考数据
s
E
DS （ AL ）S
≤
89兆焦耳
s
I
D
≤
30 A
s
R
DSON
= 25毫欧（典型值）
s
P
合计
≤
75 W.
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
mb
钢钉 - SOT669 （ LFPAK ）简化的外形和符号
描述
源极（S ）
栅极（G ）
安装基座
连接到
漏极（四）
mb
d
简化的轮廓
符号
g
1
2
3
4
MBL286
MBL798
s1
s2
s3
顶视图
SOT669 （ LFPAK ）
飞利浦半导体
BUK9Y30-75B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
BUK9Y30-75B
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（飞利浦版本LFPAK ） ; 4
LEADS
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 30 A;
V
DS
≤
75 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
75
75
±15
30
21
120
75
+175
+175
30
120
89
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性漏源雪崩
能源
E
DS （ AL ）R
重复的漏源雪崩
能源
[1]
最大值没有报价。重复评价德网络中定义
图16 。
单次雪崩额定值限制T
J（下最大）
175
°C.
重复雪崩额定值限制T
J（下AVG）
170
°C.
请参阅
http://www.semiconductors.philips.com/acrobat/applicationnotes/AN10273_1.pdf
了解更多信息。
-
[1]
-
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BUK9Y30-75B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
03na19
40
ID
(A)
30
03no16
80
20
40
10
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
DER
P
合计
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
03no14
ID
(A)
TP = 10
s
102
限制导通电阻= VDS / ID
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
图4
民
-
典型值
-
最大
2
单位
K / W
热阻结到
安装底座
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
03no15
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
P
δ
=
tp
T
tp
10-2
10-6
单发
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
T
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。该产品的设计和资格
适当的AEC标准适用于汽车的关键应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
Q101标准
适用于要求苛刻的热
由于环境175
°C
等级
1.3应用
12 V ， 24 V和42 V负载
通用开关电源
汽车系统
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
E
DS （ AL ）S
快速参考
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
不重复
漏源
雪崩能量
栅极 - 漏极电荷
条件
T
j
≥
25
°C;
T
j
≤
175
°C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25
°C;
SEE
图1
和
4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
I
D
= 34 A; V
SUP
≤
75 V;
R
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
T
J（下INIT ）
= 25
°C;
松开
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 60 V ;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图14
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25
°C;
SEE
图12
和
13
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
75
34
85
78
单位
V
A
W
mJ
雪崩耐用性
动态特性
Q
GD
-
9
-
nC
静态特性
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
-
25
30
mΩ
恩智浦半导体
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2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
钉扎
符号
S
S
S
G
D
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;
地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK9Y30-75B
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25
°C
t
p
≤
10
μs;
脉冲;吨
mb
= 25
°C
I
D
= 34 A; V
SUP
≤
75 V ;
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
T
J（下INIT ）
= 25
°C;
松开
SEE
科幻gure 3
[1][2]
[3]
条件
T
j
≥
25
°C;
T
j
≤
175
°C
R
GS
= 20 kΩ的;牛逼
mb
≥
25
°C;
T
mb
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图1
和
4
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图1
T
mb
= 25
°C;
t
p
≤
10
μs;
脉冲;看
图4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
民
-
-
-15
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
75
75
15
34
24
137
85
175
175
34
137
78
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源雪崩
能源
E
DS （ AL ）R
重复的漏 - 源
雪崩能量
[1]
[2]
[3]
-
-
J
单脉冲雪崩额定值的限制由175最高结温
°C.
重复雪崩额定值的限制由170平均结温
°C.
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
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BUK9Y30-75B_4
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恩智浦半导体
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40
I
D
(A)
30
03no16
120
P
DER
(%)
80
03na19
20
40
10
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
P
合计
P
合计
(25°C )
200
V
GS
5V
P
DER
=
× 100 %
图1.标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
10
2
I
AV
(A)
10
如图2归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
03np81
(1)
(2)
1
(3)
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1吨（MS ） 10
AV
（ 1 ）单脉冲;吨
j
= 25
°C.
（ 2 ）单脉冲;吨
j
= 150
°C.
（ 3 ）重复。
图3.单次和重复雪崩额定值。雪崩电流雪崩周期的函数
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BUK9Y30-75B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
10
3
I
D
(A)
10
2
03no14
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μs
100
μs
10
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
° ℃;我
DM
是单脉冲
图4.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
-
最大
1.8
单位
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
03nm01
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10
-1
P
0.05
0.02
t
p
δ
=
t
p
T
t
T
10
-2
10
-6
单发
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
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4 13
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