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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第544页 > BAV103
数据表
BAV101~BAV103
高压表面贴装开关二极管
电压
120至250伏
动力
300毫瓦
MINI-MELF/LL-34
单位:英寸(毫米)
特点
·快速开关速度。
表面贴装封装非常适合自动插入。
硅Epitaxal平面结构。
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
机械数据
案例:小型晶圆电阻,玻璃
终端:每MIL -STD- 202E ,方法208
极性:负极频带
标记:阴极频带只有
重量: 0.03克
包装信息
T / R - 每个7"塑料卷2.5K
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
最大额定值和电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
P一R A M E TE
已经RSE V 0 1 A G é
t
P E A的Kr é已经RSE V 0 1 A G é
t
CT美联储 urre NT (A已经RA GE ) ,H人W上的已经 CT F CA tonwih
ii
f
ii i
t
SI吨已经1。· A D A第二F > = 5 0 H
si
P·E A K F RW一个RD S URG式C urre NT吨1 。 s
, = 0
P奥尔D我SI航标D Eラ吨博已经在2 5
O
C
S·P我
e
米喜恩F RW一个RD V 0 1 A G E,I = 1 0 0为m的
m
t
F
米喜恩DCR ê已经RSE urre NT为R ATD DCB升长江基建克
m
e
o
n
V 0 1 A G (E T)
J
= 2 5
O
C
t
典型我一升Junct 0:N ℃的P A CI一NCE (N 吨1 )
c
i
t
e
米喜恩 已经RSE 合作已经RY (N 吨2 )
m
e
米喜恩吨他马币一l研究é SI吨NCE
m
sa
PEラ吨Junct对S T RA GEテラMPE吨重R A毫微克é
i
i
o
u
S YM B○升
V
R
V
RM
I
O
I
SM
F
P
D
V
F
R
I
B A V 101
100
120
B A V 102
150
200
200
1.
0
300
1.
0
0.
1
0. 5
9
75
350
-6 5次T O + 1 7 5
B A V 103
200
250
.055(1.4)DIA.
.063(1.6)
UNI S
T
V
V
mA
A
mW
V
uA
pF
ns
O
CJ
T
R R
R
θ
JA
T
s TG
C / W
O
C
注意:
1. CJ在V
R
= 0中,f = 1MHz的
2.从我
F
= 10mA至我
R
= -1mA ,V
R
= 6Volts ,R
L
=100
STAD-JUL.30.2004
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
100
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
.8
1.2
1.6
正向电流毫安
10
-25 C
25 C
O
O
1.0
75 C
T
A
=125 C
O
O
电容,PF
0.2
0
.4
0
1
2
3
4
5
正向电压,伏
反向电压,伏
的F i克。 1正向特性
图2典型电容VS反向VOLATGE
14
12
10
8
6
4
2
0
浪涌电流,A
0
1
10
100
1000
脉冲宽度, MS
的F i克。 SURGE CU RRENTCHARACTERISTIC
STAD-JUL.30.2004
PAGE 。 2
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
第4版 - 2010年8月6日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单通用的开关二极管,编造平面技术,并
封装在小密封玻璃SOD80C表面贴装
器件(SMD )封装。
表1中。
产品概述
恩智浦
BAV102
BAV103
SOD80C
JEITA
-
单身
CON组fi guration
类型编号
1.2特点和优点
高开关速度:吨
rr
50纳秒
低漏电流
低电容:C
d
5 pF的
小密封玻璃
SMD封装
1.3应用
高速开关
通用开关
电压钳位
反极性保护
1.4快速参考数据
表2中。
符号
I
F
V
R
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
BAV102
BAV103
t
rr
[1]
[2]
[3]
条件
[1][2]
-
-
-
[3]
典型值
-
-
-
-
最大
250
150
200
50
单位
mA
V
V
ns
反向恢复时间
脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
-
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
从我开机时,
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 3毫安。
恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
2.管脚信息
表3中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
k
a
1
2
006aab040
[1]
标记带指示阴极。
3.订购信息
表4 。
订购信息
名字
BAV102
BAV103
-
描述
气密密封的玻璃表面安装封装;
2连接器
VERSION
SOD80C
类型编号
4.标记
表5 。
BAV102
BAV103
标记代码
标识代码
标记带
标记带
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
RRM
参数
反向重复峰值
电压
BAV102
BAV103
V
R
反向电压
BAV102
BAV103
I
F
I
FRM
I
FSM
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值
正向电流
方波
t
p
= 1
μs
t
p
= 100
μs
t
p
= 1 s
BAV102_BAV103
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
条件
最大
单位
-
-
-
-
[1][2]
200
250
150
200
250
625
V
V
V
V
mA
mA
-
-
[3]
-
-
-
9
3
1
A
A
A
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2010年8月6日
2 11
恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
T
AMB
25
°C
[2]
-
-
65
65
最大
400
175
+175
+175
单位
mW
°C
°C
°C
脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
T
j
= 25
°C
前激增。
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
R
日( J- T)
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结绑点
条件
在自由空气
[1]
-
-
典型值
-
-
最大
375
300
单位
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
反向电流
BAV102
BAV103
C
d
t
rr
[1]
[2]
条件
[1]
-
-
-
-
-
-
-
[2]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1.0
1.25
100
100
100
100
5
50
单位
V
V
nA
μA
nA
μA
pF
ns
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V ;牛逼
j
= 150
°C
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
二极管电容
反向恢复时间
脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
-
从我开机时,
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 3毫安。
BAV102_BAV103
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产品数据表
第4版 - 2010年8月6日
3 11
恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
600
I
F
(MA )
mbg459
10
2
I
FSM
(A)
10
mbg703
400
(1)
(2)
(3)
200
1
0
0
1
V
F
(V)
2
10
1
1
10
10
2
10
3
t
p
(μs)
10
4
(1) T
AMB
= 150
°C;
典型值
(2) T
AMB
= 25
°C;
典型值
(3) T
AMB
= 25
°C;
最大值
基于方波电流。
T
j
= 25
°C;
暴涨前
图1 。
正向电流为正向功能
电压
mgd009
图2 。
非重复性峰值正向电流为
的脉冲持续时间的功能;最大值
mgd005
10
3
I
R
(μA)
10
2
1.6
C
d
(PF )
1.4
10
1.2
1
1.0
10
1
10
2
0
100
T
j
(°C)
200
0.8
0
10
V
R
(V)
20
V
R
= V
RMAX
实线:最大值
虚线:典型值
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3 。
反向电流交界处的函数
温度
图4 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
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恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
300
I
F
(MA )
200
mbh278
300
V
R
(V)
(1)
mgl588
200
(2)
100
100
0
0
100
T
AMB
(°C)
200
0
0
100
T
AMB
(°C)
200
FR4 PCB,标准的足迹
FR4 PCB,标准的足迹
(1) BAV103
(2) BAV102
图5 。
正向电流随环境的函数
温度;降额曲线
图6 。
反向电压作为环境的函数
温度;降额曲线
8.测试信息
t
r
D.U.T.
R
S
= 50
Ω
V = V
R
+
I
F
×
R
S
I
F
采样
示波器
R
i
= 50
Ω
V
R
mga881
t
p
t
10 %
+
I
F
TRR
t
90 %
输入信号
输出信号
(1)
(1) I
R
= 1毫安
图7 。
反向恢复时间测试电路和波形
BAV102_BAV103
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5 11
BAV100/101/102/103
500mW的密封式玻璃
高压开关二极管
Pb
RoHS指令
合规
MINI MELF
特点
高压开关设备
微型晶圆电阻包
面器类型安装
密封的玻璃
压接施工
所有的外表面有防腐蚀
并且信息很容易焊
符合RoHS
雾锡( Sn)的无铅封装
色环表示负极性
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
o
Cambient温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
最大额定值
类型编号
反向重复峰值电压
符号
V
RRM
价值
250
单位
V
mA
A
mW
O
C
单位
V
V
nA
平均正向电流整流
I
F( AV )
200
非重复峰值正向浪涌电流
1.0
脉冲宽度= 1.0秒
I
FSM
4.0
脉冲宽度= 1.0 usecond
功耗
Pd
500
工作和存储温度范围
T
J
, T
英镑
-65到+ 200
电气特性
类型编号
符号
最大
60
击穿电压
BAV100 IR = 100uA的
120
BAV101 IR = 100uA的
B
V
200
BAV102 IR = 100uA的
250
BAV103 IR = 100uA的
正向电压
IF = 100毫安
V
F
1.0
峰值反向电流BAV100 VR = 50V
100
IR
BAV101 VR = 100V
100
-
BAV102 VR = 150V
100
BAV103 VR = 200V
100
R
θJA
热阻,结到环境
350
-
结电容VR = 0 , F = 1.0MHz的
Cj
5.0
-
反向恢复时间(注)
TRR
50
注:反向恢复测试条件: IF = IR = 30mA时IRR = 3毫安,R
L
=100Ω.
o
C / W
pF
nS
版本: A07
收视率和特性曲线
(BAV100/101/102/103)
1000
I
F
- 正向电流(mA )
1000
I
R
- 反向电流(
A )
100
T
j
= 25° C
100
散射极限
10
1
0.1
0.01
0
散射极限
10
V
R
= V
RRM
1
0.1
40
80
120
160
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
j
- 结温(
°
C )
V
F
- 正向电压( V)
图。 1反向电流与结温
图。 2正向电流比。正向电压
r
f
- 微分正向电阻(
)
1000
100
T
j
= 25° C
10
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3微分正向电阻与正向电流
版本: A07
BAV100/101/102/103
威世半导体
小信号开关二极管,高压
特点
硅外延平面二极管
铅(Pb) -free组件
按照以组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
e2
应用
一般用途
94 9371
机械数据
案例:
MiniMELF玻璃外壳( SOD80 )
重量:
约。 31毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
类型分化
V
RRM
= 60 V
V
RRM
= 120 V
V
RRM
= 200 V
V
RRM
= 250 V
订购代码
BAV100 - GS18或BAV100 - GS08
BAV101 - GS18或BAV101 - GS08
BAV102 - GS18或BAV102 - GS08
BAV103 - GS18或BAV103 - GS08
键入标记
-
-
-
-
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
测试条件
部分
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
反向电压
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
功耗
t
p
= 1 s
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
R
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
P
合计
价值
60
120
200
250
50
100
150
200
1
625
250
500
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mW
文档编号85542
修订版1.6 , 13 -FEB -07
www.vishay.com
1
BAV100/101/102/103
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
结铅
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
R
thJL
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
350
500
175
- 65 + 175
单位
K / W
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
测试条件
I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
V
R
= 200 V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 50 V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 100 V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 150 V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 200 V
击穿电压
I
R
= 100 μA ,T
p
/T = 0.01,
t
p
0.3毫秒
I
R
= 100 μA ,T
p
/T = 0.01,
t
p
0.3毫秒
I
R
= 100 μA ,T
p
/T = 0.01,
t
p
0.3毫秒
二极管电容
微分正向电阻
反向恢复时间
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
I
F
= 10毫安
I
F
= I
R
= 30 mA时,我
R
= 3毫安,
R
L
= 100
Ω
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
部分
符号
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
C
D
r
f
t
rr
60
120
200
250
1.5
5
50
典型值。
最大
1000
100
100
100
100
15
15
15
15
单位
mV
nA
nA
nA
nA
A
A
A
A
V
V
V
V
pF
Ω
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
1000
100
散射极限
10
I
F
- 正向电流(mA )
1000
T
j
= 25 °C
I
R
- 反向电流( μA )
100
散射极限
10
1
V
R
=
V
RRM
1
0.1
0.01
0
40
80
120
0.1
160
200
94 9085
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
94 9084
T
j
- 结温( ° C)
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.反向电流与结温
图2.正向电流与正向电压
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2
文档编号85542
修订版1.6 , 13 -FEB -07
BAV100/101/102/103
威世半导体
r
f
- 微分正向电阻(
Ω
)
1000
100
T
j
= 25 °C
10
1
0.1
1
10
100
94 9089
I
F
- 正向电流(mA )
图3.微分正向电阻与正向电流
包装尺寸
以毫米(英寸):
SOD80
96 12070
文档编号85542
修订版1.6 , 13 -FEB -07
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3
BAV100/101/102/103
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
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4
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修订版1.6 , 13 -FEB -07
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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1
BAV100...BAV103
威世德律风根
硅外延平面二极管
应用
一般用途
94 9371
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向重复峰值电压
g
测试条件
TYPE
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
R
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
P
V
T
j
T
英镑
价值
60
120
200
250
50
100
150
200
1
625
250
500
175
–65...+175
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mW
°
C
°
C
反向电压
g
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
功耗
结温
存储温度范围
t
p
=1s
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
结铅
交界处的环境
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJL
R
thJA
价值
350
500
单位
K / W
K / W
文档编号85542
第2版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAV100...BAV103
威世德律风根
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
反向电流
测试条件
I
F
=100mA
V
R
=50V
V
R
=100V
V
R
=150V
V
R
=200V
T
j
=100
°
C,V
R
= 50V
T
j
=100
°
C,V
R
=100V
T
j
=100
°
C,V
R
=150V
T
j
=100
°
C,V
R
=200V
I
R
=100
m
A,T
p
/T=0.01,
t
p
=0.3ms
TYPE
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
符号
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
C
D
r
f
t
rr
典型值
最大
1
100
100
100
100
15
15
15
15
单位
V
nA
nA
nA
nA
m
A
m
A
m
A
m
A
V
V
V
V
pF
击穿电压
g
60
120
200
250
1.5
5
50
二极管电容
微分先行
阻力
反向恢复时间
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
=10mA
I
F
=I
R
= 30mA时我
R
=3mA,
R
L
=100
W
W
ns
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
1000
I
F
- 正向电流(mA )
I
R
- 反向电流(
m
A )
100
散射极限
10
1000
T
j
= 25°C
100
散射极限
10
1
V
R
= V
RRM
0.1
0.01
0
40
80
120
1
0.1
160
200
94 9085
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
94 9084
T
j
- 结温(
°C
)
V
F
- 正向电压( V)
图1.反向电流与结温
图2.正向电流与正向电压
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文档编号85542
第2版, 01 -APR- 99
BAV100...BAV103
威世德律风根
r
f
- 微分正向电阻(
W
)
1000
100
T
j
= 25°C
10
1
0.1
94 9089
1
10
100
I
F
- 正向电流(mA )
图3.微分正向电阻与
正向电流
尺寸(mm)
96 12070
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BAV100...BAV103
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响,以及其上的冲击
环境。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时,买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,因
直接或间接的个人损害,伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
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BAV100 ... BAV103
BAV100 ... BAV103
超快开关表面贴装硅二极管
Superschnelle思Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2005-08-15
马克斯。功耗 - 最大。 Verlustleistung
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
塑料外壳MiniMELF
Kunststoffgehuse MiniMELF
重量approx.- Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.6
500毫瓦
50...300 V
DO-213AA
0.04 g
3.5
尺寸 - 集体[MM ]
标记:
Kennzeichnung :
最大额定值
TYPE
典型值
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
马克斯。功耗
马克斯。 Verlustleistung
马克斯。正向平均整流电流, R-负荷
Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
峰值正向浪涌电流,T
1 s
Stostrom ,T
1 s
峰值正向浪涌电流,T
1 s
Stostrom ,T
1 s
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
1
2
测试了我的脉冲
R
= 100 μA ,T
p
= 300微秒,占空比
2%
Gemessen MIT Impulsen我
R
= 100 μA ,T
p
= 300微秒, Schaltverhltnis
2%
安装在P.C。板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
http://www.diotec.com/
0.4
0.4
一个绿环是指“阴极”与“超高速开关二极管”
类型号指出仅在卷轴上的拉布勒
艾因格鲁纳环kennzeichnet “ Katode ” UND “ superschnelle二极管”
死Typenbezeichnungen信德淖尔奥夫DEM Rollenaufkleber vermerkt
Grenzwerte
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
300
T
A
= 75°C
T
A
= 75°C
F > 15赫兹
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
合计
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
T
j
T
S
浪涌峰值反向电压
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1
)
60
120
200
300
500毫瓦
2
)
200毫安
2
)
650毫安
2
)
1A
5A
-50...+175°C
-50...+175°C
德欧泰克半导体公司
1
BAV100 ... BAV103
特征
正向电压
Durchlass - Spannung
漏电流
Sperrstrom
反向恢复时间
Sperrverzug
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht
德奥合并
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
F
= 0.2 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
I
R
t
rr
R
THA
R
THT
Kennwerte
< 1.25 V
< 5 μA
< 50 μA
< 50纳秒
< 150 K / W
1
)
< 70 K / W
I
F
= 0.5 A到/尤伯杯
I
R
= 1 A至I
R
= 0.25 A
120
[%]
100
10
[A]
1
80
T
j
= 125°C
60
10
-1
40
10
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
-2
T
j
= 25°C
I
F
10
-3
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
正向特性(典型值)
Durchlasskennlinien ( typische Werte )
1
安装在P.C。板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
BAV 100 ... 103 BAV
表面贴装二极管
超快硅整流
二极管
BAV 100 ... 103 BAV
正向电流: 0.2 A
反向电压: 50 300 V
绝对最大额定值
符号条件
单位
特点
特征
符号条件
单位
机械数据
尺寸(mm)
1)
2)
3)
4)
5)
1
28-02-2007 MAM
由赛米控
BAV 100 ... 103 BAV
图。 1正向特性(典型值)
图。 2额定正向电流与环境温度
4
)
2
28-02-2007 MAM
由赛米控
BAV100 BAV103
产品特点:
切换速度:最大。 50纳秒
一般应用
连续反向电压:
最大。 50 V , 100 V,分别为150 V和200 V
高速开关二极管
MiniMELF ( SOD -80C )
阴极标记
φ
0.063 (1.64)
0.055 (1.40)
0.019(0.48)
0.011(0.28)
0.142(3.6)
0.134(3.4)
重复峰值反向电压:
最大。 60 V , 120 V ,分别为200 V和250 V
贴装焊盘布局
0.098 (2.50)
马克斯。
0.049 ( 1.25 )最低。
0.079 ( 2.00 )最低。
重复峰值正向电流:最大。 625毫安。
无铅/符合RoHS免费
机械数据:
案例:
MiniMELF玻璃外壳( SOD- 80 )
重量:
约。 0.05克
0.197 (5.00)
REF
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和热特性
(评级为
参数
最大重复峰值反向电压
25
°
C环境温度,除非另有规定。 )
符号
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
V
RRM
价值
60
120
200
250
50
100
150
200
625
250
3.0
1.0
400
175
-65到+ 175
单位
V
最大连续反向电压
最大重复峰值正向电流
最大连续正向电流
最大正向电流浪涌
最大功率耗散
最高结温
存储温度范围
V
R
I
FRM
I
F
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
在t = 100μs的, TJ = 25°C
在t = 1秒, TJ = 25°C
I
FSM
P
D
T
J
T
S
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
反向电流
符号
I
R
测试条件
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
V
R
= 200 V
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
F = 1MHz的; V
R
= 0
I
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安
R
L
= 100
;测
在我
R
= 3毫安
正向电压
二极管电容
反向恢复时间
V
F
Cd
TRR
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
100
100
100
100
1.0
1.25
5.0
50
单位
nA
V
pF
ns
第1页2
启示录02 : 2005年3月25日
额定值和特性曲线( BAV100 BAV103 )
图。 1最大正向电流
随环境温度
图。 2典型正向电压为
400
1000
连续向前
目前,我
F
(MA )
300
正向电流,I
F
(MA )
100
10
T
J
= 25
°
C
1
200
100
0.1
0
0
100
200
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
环境温度,钽(℃)
正向电压,V
F
(V)
图。 3典型二极管电容AS
反向电压的函数
图。 4典型的反向电流
VERSUS结温
1.5
10
3
1.4
反向电流,I
R
(
A)
二极管电容,镉(PF )
10
2
V
R
= V
R最大。
1.3
F = 1MHz的;
1.2
1.1
T
J
= 25
°
C
10
1
1.0
10
-1
0.9
10
-2
0
10
20
0
100
200
0.8
反向电压, V
R
(V)
结温TJ ( ° C)
第2页2
启示录02 : 2005年3月25日
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
牧师03 - 2007年8月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单通用的开关二极管,编造平面技术,并
封装在小密封玻璃SOD80C表面贴装
器件(SMD )封装。
表1中。
产品概述
恩智浦
BAV102
BAV103
SOD80C
JEITA
-
单身
CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
高开关速度:吨
rr
50纳秒
I
低漏电流
I
低电容:C
d
5 pF的
I
小密封玻璃SMD
1.3应用
I
高速开关
I
通用开关
I
电压钳位
I
反极性保护
1.4快速参考数据
表2中。
符号
I
F
V
R
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
BAV102
BAV103
t
rr
[1]
[2]
[3]
条件
[1][2]
-
-
-
[3]
典型值
-
-
-
-
最大
250
150
200
50
单位
mA
V
V
ns
反向恢复时间
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
-
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
从我开机时,
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安。
恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
2.管脚信息
表3中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
k
a
1
2
006aab040
[1]
标记带指示阴极。
3.订购信息
表4 。
订购信息
名字
BAV102
BAV103
-
描述
气密密封的玻璃表面安装封装;
2连接器
VERSION
SOD80C
类型编号
4.标记
表5 。
BAV102
BAV103
[1]
绿色:在菲律宾做
标记代码
标识代码
[1]
标记带
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
RRM
参数
反向重复峰值
电压
BAV102
BAV103
V
R
反向电压
BAV102
BAV103
I
F
I
FRM
正向电流
正向重复峰值
当前
[1][2]
条件
最大
单位
-
-
-
-
-
-
200
250
150
200
250
625
V
V
V
V
mA
mA
BAV102_BAV103_3
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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2 10
恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
I
FSM
参数
非重复性峰值
正向电流
条件
方波
t
p
= 1
s
t
p
= 100
s
t
p
= 1 s
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[3]
-
-
-
[2]
最大
9
3
1
400
175
+175
+175
单位
A
A
A
mW
°C
°C
°C
总功耗
结温
环境温度
储存温度
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
T
AMB
25
°C
-
-
65
65
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
T
j
= 25
°C
前激增。
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
R
日( J- T)
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结绑点
条件
在自由空气
[1]
-
-
典型值
-
-
最大
375
300
单位
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
反向电流
BAV102
BAV103
C
d
t
rr
[1]
[2]
条件
[1]
-
-
-
-
-
-
-
[2]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1.0
1.25
100
100
100
100
5
50
单位
V
V
nA
A
nA
A
pF
ns
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V ;牛逼
j
= 150
°C
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
二极管电容
反向恢复时间
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
-
从我开机时,
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安。
BAV102_BAV103_3
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产品数据表
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恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
600
I
F
(MA )
mbg459
10
2
I
FSM
(A)
10
mbg703
400
(1)
(2)
(3)
200
1
0
0
1
V
F
(V)
2
10
1
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
10
4
(1) T
AMB
= 150
°C;
典型值
(2) T
AMB
= 25
°C;
典型值
(3) T
AMB
= 25
°C;
最大值
基于方波电流。
T
j
= 25
°C;
暴涨前
图1.正向电流为正向功能
电压
mgd009
图2.非重复性峰值正向电流为
的脉冲持续时间的功能;最大值
mgd005
10
3
I
R
(A)
10
2
1.6
C
d
(PF )
1.4
10
1.2
1
1.0
10
1
10
2
0
100
T
j
(°C)
200
0.8
0
10
V
R
(V)
20
V
R
= V
RMAX
实线:最大值
虚线:典型值
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3.反向电流交界处的函数
温度
图4.二极管电容反向的函数
电压;典型值
BAV102_BAV103_3
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4 10
恩智浦半导体
BAV102 ; BAV103
单通用开关二极管
300
I
F
(MA )
200
mbh278
300
V
R
(V)
(1)
mgl588
200
(2)
100
100
0
0
100
T
AMB
(°C)
200
0
0
100
T
AMB
(°C)
200
FR4 PCB,标准的足迹
FR4 PCB,标准的足迹
(1) BAV103
(2) BAV102
图5.正向电流随环境的函数
温度;降额曲线
图6.反向电压随环境的函数
温度;降额曲线
8.测试信息
t
r
D.U.T.
R
S
= 50
V = V
R
+
I
F
×
R
S
I
F
采样
示波器
R
i
= 50
V
R
mga881
t
p
t
10 %
+
I
F
TRR
t
90 %
输入信号
输出信号
(1)
(1) I
R
= 1毫安
图7.反向恢复时间测试电路和波形
BAV102_BAV103_3
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5 10
数据表
BAV101~BAV103
高压表面贴装开关二极管
电压
120至250伏
动力
300毫瓦
MINI-MELF/LL-34
单位:英寸(毫米)
特点
·快速开关速度。
表面贴装封装非常适合自动插入。
硅Epitaxal平面结构。
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
机械数据
案例:小型晶圆电阻,玻璃
终端:每MIL -STD- 202E ,方法208
极性:负极频带
标记:阴极频带只有
重量: 0.03克
包装信息
T / R - 每个7"塑料卷2.5K
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
最大额定值和电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
P一R A M E TE
已经RSE V 0 1 A G é
t
P E A的Kr é已经RSE V 0 1 A G é
t
CT美联储 urre NT (A已经RA GE ) ,H人W上的已经 CT F CA tonwih
ii
f
ii i
t
SI吨已经1。· A D A第二F > = 5 0 H
si
P·E A K F RW一个RD S URG式C urre NT吨1 。 s
, = 0
P奥尔D我SI航标D Eラ吨博已经在2 5
O
C
S·P我
e
米喜恩F RW一个RD V 0 1 A G E,I = 1 0 0为m的
m
t
F
米喜恩DCR ê已经RSE urre NT为R ATD DCB升长江基建克
m
e
o
n
V 0 1 A G (E T)
J
= 2 5
O
C
t
典型我一升Junct 0:N ℃的P A CI一NCE (N 吨1 )
c
i
t
e
米喜恩 已经RSE 合作已经RY (N 吨2 )
m
e
米喜恩吨他马币一l研究é SI吨NCE
m
sa
PEラ吨Junct对S T RA GEテラMPE吨重R A毫微克é
i
i
o
u
S YM B○升
V
R
V
RM
I
O
I
SM
F
P
D
V
F
R
I
B A V 101
100
120
B A V 102
150
200
200
1.
0
300
1.
0
0.
1
0. 5
9
75
350
-6 5次T O + 1 7 5
B A V 103
200
250
.055(1.4)DIA.
.063(1.6)
UNI S
T
V
V
mA
A
mW
V
uA
pF
ns
O
CJ
T
R R
R
θ
JA
T
s TG
C / W
O
C
注意:
1. CJ在V
R
= 0中,f = 1MHz的
2.从我
F
= 10mA至我
R
= -1mA ,V
R
= 6Volts ,R
L
=100
STAD-JUL.30.2004
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
100
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
.8
1.2
1.6
正向电流毫安
10
-25 C
25 C
O
O
1.0
75 C
T
A
=125 C
O
O
电容,PF
0.2
0
.4
0
1
2
3
4
5
正向电压,伏
反向电压,伏
的F i克。 1正向特性
图2典型电容VS反向VOLATGE
14
12
10
8
6
4
2
0
浪涌电流,A
0
1
10
100
1000
脉冲宽度, MS
的F i克。 SURGE CU RRENTCHARACTERISTIC
STAD-JUL.30.2004
PAGE 。 2
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