位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第278页 > NT256S72V89A0G > NT256S72V89A0G PDF资料 > NT256S72V89A0G PDF资料3第5页
NT256S72V89A0G
256MB ： 32M X 72
UNBUFFERED SDRAM模块
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度（环境）
储存温度
功耗
短路输出电流
等级
-0.3到+4.6
-0.3到V
DD
+0.3
-0.3到V
DD
+0.3
0至+70
-55到+125
9
50
V
1
单位
笔记
°C
°C
W
mA
1
1
1
1
1.1 。应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0至70
°C)
等级
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
1.
2.
3.
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
参数
分钟。
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值。
3.3
-
-
-
-
-
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
-
0.4
10
V
V
V
V
V
uA
1
1,2
1,3
单位
笔记
参考V所有电压
SS
.
V
IH
（MAX） = V
DD
/ V
DDQ
+ 1.2V的脉冲宽度
≤
5ns
V
IL
（分钟） = V
SS
/ V
SSQ
- 1.2V的脉冲宽度
≤
为5ns 。
电容
(T
A
=25
°C
， F = 1MHz时， V
DD
=3.3 ± 0.3V)
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
IO1
C
IO2
参数
输入电容（ A0 -A9 ， A10 / AP ， A11 ， BA0 ， BA1 ，
RAS
,
CAS
,
WE
)
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（
S0
-
S2
)
输入电容（ CK0 - CK3 ）
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
输入电容（ SA0 - SA2 ， SCL ， WP ）
输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ）
输入/输出电容（ SDA ）
马克斯。
77
58
33
40
21
9
10
11
pF
单位
DC输出负载电路
3.3 V
1200欧
产量
50 pF的
870欧姆
VOH （ DC ） = 2.4V ， IOH = -2mA
VOL （ DC ） = 0.4V ， IOL = -2mA
初步
09 / 2001
5
南亚科技股份有限公司保留更改产品和规格，恕不另行通知。
南亚科技股份有限公司。
