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NT256S72V89A0G
256MB ： 32M X 72
UNBUFFERED SDRAM模块
读周期
- 7K
符号
参数
分钟。
-
TOH
TLZ
tHZ3
tDQZ
数据输出保持时间
2.7
数据输出为低阻抗时间
数据输出为高阻时间
DQM数据输出禁用延迟
0
3
2
-
-
5.4
-
2.7
0
3
2
-
-
5.4
-
3
0
3
2
-
-
6
-
ns
ns
ns
CLK
1
马克斯。
-
分钟。
-
马克斯。
-
分钟。
2.5
马克斯。
-
ns
- 75B
- 8B
单位
记
1.引用到使输出达到开路状态，而不是输出电压电平的时间。
刷新周期
- 7K
符号
TREF
tSREX
刷新周期
自刷新退出时间
参数
分钟。
-
10
马克斯。
64
-
分钟。
-
10
马克斯。
64
-
分钟。
-
10
马克斯。
64
-
ms
ns
- 75B
- 8B
单位
记
写周期
- 7K
符号
TDS
TDH
tDPL
tDAL3
参数
分钟。
数据在建立时间
数据保持时间
数据输入到预充电
数据进行主动延迟
5
-
5
-
5
-
CLK
1.5
0.8
15
马克斯。
-
-
-
分钟。
1.5
0.8
15
马克斯。
-
-
-
分钟。
2
1
15
马克斯。
-
-
-
ns
ns
ns
- 75B
- 8B
单位
记
CAS
延时= 3
数据进行主动延迟
tDAL2
5
-
-
-
0
-
-
-
0
-
-
CLK
ns
CAS
延时= 2
TDQW
DQM写面膜延迟
0
初步
09 / 2001
9
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南亚科技股份有限公司。
