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TPS51216
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SLUSAB9 - 2010年11月
设备信息
RUK包装（顶视图）
PGOOD
模式
旅
S3
17
20
19
18
16
15
14
VTTSNS
VLDOIN
VTT
VTTGND
VTTREF
S5
1
2
3
4
5
VBST
DRVH
SW
V5IN
DRVL
TPS51216
PowerPAD
13
12
11
6
7
8
9
10
REFIN
引脚功能
针
名字
DRVH
DRVL
GND
模式
保护地
PGOOD
REFIN
SW
S3
S5
旅
VBST
VDDQSNS
VLDOIN
VREF
VTT
VTTGND
VTTREF
VTTSNS
V5IN
热
PAD
号
14
11
7
19
10
20
8
13
17
16
18
15
9
2
6
3
4
5
1
12
–
I / O
O
O
–
I
–
O
I
高边MOSFET栅极驱动器输出。
低边MOSFET栅极驱动器输出。
信号地。
连接电阻到GND配置开关频率和放电模式。 （见
表2）
栅极驱动器电源地。
DS （ ON）
电流检测输入端（+ ） 。
电源良好信号，开漏输出。 PGOOD变为高电平时VDDQ输出电压是在目标范围内。
参考输入为VDDQ 。连接到一个电阻分压器从VREF到GND的中点。添加一个电容器
稳定运行。
S3的信号输入。 （见
表1）
S5的信号输入。 （见
表1）
连接电阻到GND设定OCL在V
旅
/ 8 。输出10毫安的电流，在室温下，T
C
= 4700 PPM / ℃。
高边MOSFET栅极驱动器自举电压输入。从VBST引脚和SW引脚之间连接一个电容。
VDDQ输出电压反馈。参考输入的VTTREF 。还用作VTTREF电源。
电源输入为VTT LDO 。在典型的应用程序连接VDDQ 。
1.8 V基准电压输出。
VTT 2 -A LDO输出。需要连接10MF或者更大容量的稳定。
电源地为VTT LDO 。
VTT缓冲基准输出。需要连接0.22mF或更大容量的稳定。
VTT输出电压反馈。
5 V电源输入，内部电路和MOSFET栅极驱动器。
连接到GND
描述
I / O高边MOSFET栅极驱动器的回报。
DS （ ON）
电流检测输入端（ - ） 。
I
I
I
I
I
I
O
O
–
O
I
I
–
VDDQSNS
保护地
VREF
GND
2010 ，德州仪器
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