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TPS51216
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SLUSAB9 - 2010年11月
完整的DDR2， DDR3和DDR3L存储器功率解决方案同步降压
控制器， 2 -A LDO ，缓冲基准
检查样品：
TPS51216
1
特点
同步降压控制器（ VDDQ ）
- 转换电压范围： 3 V至28 V
- 输出电压范围： 0.7 V至1.8 V
– 0.8% V
REF
准确性
- D- CAP 模式实现快速瞬态响应
- 可选择300千赫/ 400 kHz的开关
频率
- 在轻重优化效率
负载时自动跳过功能
- 支持软关机在S4 / S5状态
- OCL / OVP / UVP / UVLO保护功能
- 电源良好输出
2 -A LDO （ VTT ） ，缓冲基准（ VTTREF ）
- 2 -A （峰值）库和源电流
- 需要陶瓷输出只有10 -MF
m
电容
- 缓冲，低噪声， 10毫安VTTREF
产量
- 0.8 ％ VTTREF ， 20 mV的VTT精度
- 支持高-Z在S3和软关断S4 / S5
热关断
20引脚为3mm × 3mm时， QFN封装
描述
该TPS51216提供一个完整的电源
在DDR2 ， DDR3和DDR3L内存系统
最低的总成本和最小的空间。它集成了一个
同步降压型稳压器（ VDDQ ）与
2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）及缓冲的低
噪声基准（ VTTREF ） 。该TPS51216采用
D- CAP 模式，再加上300千赫/ 400千赫
频率易用性和快速瞬态
反应。该VTTREF跟踪VDDQ / 2范围内
优异的0.8 ％的准确度。的VTT的，它提供了2-
一个接收器/源极峰值电流能力，只需要
10 μF的陶瓷电容。此外，一个
专用LDO电源输入可用。
该TPS51216提供了丰富的实用功能以及
作为出色的电源性能。它支持
灵活的电源状态控制，将VTT高-Z在
S3和放电VDDQ ， VTT和VTTREF （软
关）在S4 / S5状态。与低端可编程OCL
MOSFET
DS （ ON）
传感， OVP / UVP / UVLO和
热关断保护功能也可提供。
该TPS51216采用20引脚可为3mm × 3
毫米QFN封装，规定的环境
温度从-40 ° C到85°C 。
VIN
5VIN
保护地
TPS51216
VBST 15
12 V5IN
17 S3
16 S5
DRVH 14
SW 13
DRVL 11
6
VREF
保护地10
PGOOD 20
8
REFIN
VDDQSNS
VLDOIN
7
GND
VTT
VTTSNS
9
2
3
1
VTT
POWERGOOD
2
应用
DDR2 / DDR3 / DDR3L内存电源
SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL
终止
保护地
VDDQ
S3
S5
19 MODE
18 TRIP
VTTGND
VTTREF
4
5
VTTREF
保护地
AGND
AGND
UDG-10138
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D-CAP是Texas Instruments公司的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
