TPS51216
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SLUSAB9 - 2010年11月
完整的DDR2， DDR3和DDR3L存储器功率解决方案同步降压
控制器， 2 -A LDO ，缓冲基准
检查样品：
TPS51216
1
特点
同步降压控制器（ VDDQ ）
- 转换电压范围： 3 V至28 V
- 输出电压范围： 0.7 V至1.8 V
– 0.8% V
REF
准确性
- D- CAP 模式实现快速瞬态响应
- 可选择300千赫/ 400 kHz的开关
频率
- 在轻重优化效率
负载时自动跳过功能
- 支持软关机在S4 / S5状态
- OCL / OVP / UVP / UVLO保护功能
- 电源良好输出
2 -A LDO （ VTT ） ，缓冲基准（ VTTREF ）
- 2 -A （峰值）库和源电流
- 需要陶瓷输出只有10 -MF
m
电容
- 缓冲，低噪声， 10毫安VTTREF
产量
- 0.8 ％ VTTREF ， 20 mV的VTT精度
- 支持高-Z在S3和软关断S4 / S5
热关断
20引脚为3mm × 3mm时， QFN封装
描述
该TPS51216提供一个完整的电源
在DDR2 ， DDR3和DDR3L内存系统
最低的总成本和最小的空间。它集成了一个
同步降压型稳压器（ VDDQ ）与
2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）及缓冲的低
噪声基准（ VTTREF ） 。该TPS51216采用
D- CAP 模式，再加上300千赫/ 400千赫
频率易用性和快速瞬态
反应。该VTTREF跟踪VDDQ / 2范围内
优异的0.8 ％的准确度。的VTT的，它提供了2-
一个接收器/源极峰值电流能力，只需要
10 μF的陶瓷电容。此外，一个
专用LDO电源输入可用。
该TPS51216提供了丰富的实用功能以及
作为出色的电源性能。它支持
灵活的电源状态控制，将VTT高-Z在
S3和放电VDDQ ， VTT和VTTREF （软
关）在S4 / S5状态。与低端可编程OCL
MOSFET
DS （ ON）
传感， OVP / UVP / UVLO和
热关断保护功能也可提供。
该TPS51216采用20引脚可为3mm × 3
毫米QFN封装，规定的环境
温度从-40 ° C到85°C 。
VIN
5VIN
保护地
TPS51216
VBST 15
12 V5IN
17 S3
16 S5
DRVH 14
SW 13
DRVL 11
6
VREF
保护地10
PGOOD 20
8
REFIN
VDDQSNS
VLDOIN
7
GND
VTT
VTTSNS
9
2
3
1
VTT
POWERGOOD
2
应用
DDR2 / DDR3 / DDR3L内存电源
SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL
终止
保护地
VDDQ
S3
S5
19 MODE
18 TRIP
VTTGND
VTTREF
4
5
VTTREF
保护地
AGND
AGND
UDG-10138
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D-CAP是Texas Instruments公司的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS51216
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
包
塑料方形扁平封装（ 20引脚QFN ）
订购设备
数
TPS51216RUKR
TPS51216RUKT
引脚
20
产量
供应
磁带和卷轴
迷你盘
最低
QUANTITY
3000
250
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
民
VBST
VBST
SW
输入电压范围
(2)
(3)
单位
最大
36
6
30
3.6
3.6
0.3
6
36
6
3.6
3.6
6
6
125
°C
°C
150
V
V
–0.3
–0.3
–5
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–5
(3)
VLDOIN ， VDDQSNS ， REFIN
VTTSNS
保护地， VTTGND
V5IN ， S3 ， S5 ， TRIP ， MODE
DRVH
DRVH
VTTREF ， VREF
VTT
DRVL
PGOOD
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–55
输出电压范围
(2)
结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
(1)
(2)
(3)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
电压值是相对于于SW端子。
热信息
热公制
q
JA
q
JCtop
q
JB
y
JT
y
JB
q
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS51216
QFN （ 20 ）引脚
94.1
58.1
64.3
31.8
58.0
5.9
° C / W
单位
2
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2010 ，德州仪器
TPS51216
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内， VV5IN = 5V ， VLDOIN连接到VDDQ输出，V
模式
=0V, V
S3
=V
S5
= 5V （除非
另有说明）
参数
电源电流
I
V5IN(S0)
I
V5IN(S3)
I
V5INSDN
I
VLDOIN(S0)
I
VLDOIN(S3)
I
VLDOINSDN
VREF输出
I
VREF
= 30
毫安，
T
A
= 25°C
V
VREF
I
VREFOCL
V
VTTREF
V
VTTREF
I
VTTREFOCLSRC
I
VTTREFOCLSNK
I
VTTREFDIS
VTT输出
V
VTT
输出电压
|I
VTT
|
≤
10毫安， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V，I
VTTREF
= 0 A
V
VTTTOL
输出电压容差为VTTREF
|I
VTT
|
≤
1 A, 1.2
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V，I
VTTREF
= 0 A
|I
VTT
|
≤
2 A， 1.4 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V，I
VTTREF
= 0 A
|I
VTT
|
≤
1.5 A ， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.4 V，I
VTTREF
= 0 A
I
VTTOCLSRC
I
VTTOCLSNK
I
VTTLK
I
VTTSNSBIAS
I
VTTSNSLK
I
VTTDIS
VDDQ输出
V
VDDQSNS
V
VDDQSNSTOL
I
VDDQSNS
I
REFIN
I
VDDQDIS
I
VLDOINDIS
VDDQ电压感
VDDQSNS调节电压
耐受REFIN
VDDQSNS输入电流
REFIN输入电流
VDDQ放电电流
VLDOIN放电电流
T
A
= 25°C
V
VDDQSNS
= 1.8 V
V
REFIN
= 1.8 V
V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VDDQSNS
= 0.5 V ， MODE引脚拉高
通过47千欧姆降低到GND （不跟踪）
V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VDDQSNS
= 0.5 V ， MODE引脚拉高
通过100kΩ的下降到GND （不跟踪）
–0.1
–3
39
0.0
12
1.2
0.1
V
REFIN
3
mV
mA
mA
mA
A
源电流限制
灌电流限制
漏电流
VTTSNS输入偏置电流
VTTSNS漏电流
VTT放电电流
V
VDDQSNS
= 1.8 V, V
VTT
= V
VTTSNS
= 0.7 V,
I
VTTREF
= 0 A
V
VDDQSNS
= 1.8V, V
VTT
= V
VTTSNS
= 1.1 V，I
VTTREF
= 0 A
T
A
= 25 ° C，V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V, V
VTT
= V
VTTREF
V
S3
= 5 V, V
S5
= 5 V, V
VTTSNS
= V
VTTREF
V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V, V
VTTSNS
= V
VTTREF
T
A
= 25 ° C，V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V,
V
VTT
= 0.5 V，I
VTTREF
= 0 A
–0.5
–1
0.0
0
7.8
–20
–30
–40
–40
2
2
3
3
5
0.5
1
mA
mA
V
VTTREF
20
30
40
40
A
mV
V
输出电压
0
mA
≤
I
VREF
<300
毫安，
T
A
= -10 ° C至85°C
0
mA
≤
I
VREF
<300
毫安，
T
A
= -40 ° C至85°C
电流限制
V
VREF
= 1.7 V
VTTREF输出
输出电压
输出电压容差为V
VDDQ
源电流限制
灌电流限制
VTTREF放电电流
|I
VTTREF
| <100
毫安，
1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V
|I
VTTREF
| <10毫安， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V
V
VDDQSNS
= 1.8 V, V
VTTREF
= 0 V
V
VDDQSNS
= 1.8 V, V
VTTREF
= 1.8 V
T
A
= 25 ° C，V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VTTREF
= 0.5 V
49.2%
49%
10
10
0.8
18
17
1.3
V
VDDQSNS
/2
50.8%
51%
mA
mA
mA
V
1.7856
1.7820
0.4
0.8
1.8000
1.8144
1.8180
mA
V
V5IN电源电流，在S0
V5IN电源电流，在S3中
V5IN关断电流
VLDOIN电源电流，在S0
VLDOIN电源电流，在S3中
VLDOIN关断电流
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 0 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 0 V
590
500
1
5
5
5
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关模式电源（ SMPS ）频率
f
SW
t
开（分钟）
t
关（ MIN）的
VDDQ开关频率
最小导通时间
最小关断时间
V
IN
= 12 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V ，R
模式
= 100 kΩ
V
IN
= 12 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V ，R
模式
= 200 kΩ
DRVH上升到下降
(1)
DRVH下降至上升
200
300
400
60
320
450
千赫
ns
(1)
由设计保证。未经生产测试。
4
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2010 ，德州仪器
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内， VV5IN = 5V ， VLDOIN连接到VDDQ输出，V
模式
=0V, V
S3
=V
S5
= 5V （除非
另有说明）
参数
VDDQ MOSFET驱动器
R
DRVH
R
DRVL
t
DEAD
DRVH性
资料来源，我
DRVH
= -50毫安
水槽，我
DRVH
= 50毫安
资料来源，我
DRVL
= -50毫安
水槽，我
DRVL
= 50毫安
DRVH客来DRVL上
DRVL客来DRVH上
1.6
0.6
0.9
0.5
10
20
3.0
1.5
2.0
1.2
ns
Ω
测试条件
民
典型值
最大
单位
DRVL性
死区时间
内部自举SW
V
FBST
I
VBSTLK
I
模式
正向电压
VBST泄漏电流
V
V5IN-VBST
, T
A
= 25 ° C，I
F
= 10毫安
T
A
= 25 ° C，V
VBST
= 33 V, V
SW
= 28 V
14
模式0
V
THMODE
模式阈值电压
模式1
模式2
模式3
V
IL
V
IH
V
IHYST
V
ILK
软启动
t
SS
VDDQ软启动时间
内部软启动时间，C
VREF
= 0.1
MF，
S5上升到V
VDDQSNS
> 0.99 ×V
REFIN
PGOOD从高
V
THPG
VDDQ PGOOD门槛
PGOOD在从下
PGOOD出更高
PGOOD出降低
I
PG
t
PGDLY
t
PGSSDLY
PGOOD灌电流
PGOOD延迟时间
PGOOD启动延时
V
PGOOD
= 0.5 V
延迟的PGOOD
延迟PGOOD出来，与100毫伏以上的驱动器
C
VREF
= 0.1
MF，
S5上升到PGOOD上升
106%
90%
114%
82%
3
0.8
1.1
ms
S3 / S5的低电平电压
S3 / S5的高电平电压
S3 / S5滞后电压
S3 / S5输入漏电流
–1
1.8
0.25
0
1
mA
580
829
1202
1760
0.1
0.01
0.2
1.5
V
mA
逻辑阈值
MODE源电流
15
600
854
1232
1800
16
620
879
1262
1840
0.5
V
mV
mA
PGOOD比较器
108%
92%
116%
84%
5.9
1
330
2.5
1.2
110%
94%
118%
86%
mA
ms
ns
ms
2010 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： TPS51216
5
QQ：2880707522 复制
