T
R
I
Q
U
I
N
T
S
E
M
I
C
0：N
D
U
C
T O服务
R ,
I
N
C .
TGF4250-EEU
4.8毫米DISCR ETE HFET
q
q
q
q
q
q
PHOTO扩建
4800微米× 0.5微米HFET
的34- dBm的在8.5- GHz的名义噘
的8.5-分贝8.5- GHz的标称增益
53％的标称PAE在8.5 - GHz的
适用于高可靠性的应用
4250
0572 X 1334 X 0102毫米（ 0.023 X 0.053 X 0.004英寸）
描述
TriQuint的TGF4250 - EEU是单门4.8毫米分立的GaAs异质场
EF FECT晶体管（ HFET ） A级设计的高EF FICIENCY功率应用高达10 5 GHz和
AB类操作。典型的表现为2- GHz的是34 - dBm的输出功率， 13 - dB增益和63 ％的PAE 。
焊盘和背面金属化是镀金的compat的ibility有共晶合金附加
方法以及thermocompr分裂国家和热超声引线键合工艺。该TGF4250 - EEU
采用全自动的设备是很容易组装。
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(972) 995-8465
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TGF4250-EEU
增益 -
输入功率
11
F = 8.5GHz
V
D
=8.0V
I
Q
± 200毫安
C
T
A
=25°
10
增益（dB ）
9
8
7
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
输入功率（dBm ）
漏电流
随输入功率
0.6
0.55
0.5
F = 8.5GHz
V
D
=8.0V
I
Q
± 200毫安
C
T
A
=25°
漏电流（ A）
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
输入功率（dBm ）
绝对最大
评级
漏 - 源电压，V
DS
................................................................................................................ 12 V
门 - 源电压，V
GS
........................................................................................................ -5 V至0 V
安装。温度E（ 30秒） ，T
M
.................................................................................................. 320 C
存储温度范围，T
英镑
.................................................. .......................................... - 65 200℃
功耗，P
D
.................................................. ............................... （见下页上的热数据）
.
工作信道的温度，T
CH
.................................................. .......... （见下页上的热数据）
在工作通道温度额定值（除非另有说明）
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
那些在“ RF和DC特性”表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
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3
TGF4250-EEU
RF和DC
特征
参数
民
公称
最大
单位
噘
G
P
PAE
I
DSS
G
M
V
P
BV
GS
BV
GD
输出功率
功率增益
功率附加效率
饱和漏电流
跨
夹断电压
击穿电压门源
击穿电压栅极 - 漏极
33
7
47
816
576
-2.7
-30
-30
34
8.5
53
1176
792
-1.85
-22
-22
-
-
-
1536
1008
-1
-17
-17
DBM
dB
%
mA
mS
V
V
V
噘嘴，增益和P AE ：
测量8.5-千兆赫，沥干的8.0 V电压。栅极电压被调整，以达到
大约20 ％我的静态电流
DSS
没有RF信号应用。的源极接地。输入功率
在25和26- dBm的。
I
DSS
：饱和漏极 - 源极电流。
烙印通道的最大I
DS
在V
GS
= 0.0 V，和V
DS
0.5 V之间横扫
到3.5V。需要注意的是，漏极电压在我
DSS
位于和记为V
DSP
.
G
M
：跨导。
(I
DSS
- I
DS1
)/
I
V
G
1
I
. I
DS1
测量V
G1
= - 0.25 V用膝盖阻铁通道技术;
V
DS
0.5 V和V之间风靡
DSP
要搜索的最大余
DS1
.
V
P
：捏过电压。
V
GS
对于我
DS
=栅极宽度为0.5毫安/毫米。 V
DS
固定为2.0 V ，V
GS
席卷带给我
DS
to
0.5毫安/毫米。如果V扫描将停止
P
目前没有发现超出0.5 V最小V的
P
特定连接的阳离子。
BV
GS
：击穿电压，栅极至源极。
I
BD
=栅极宽度为1.0毫安/毫米。来源固定在地面上，不漏
连接（浮动） 。当1.0毫安/ mm的画在门，V
GS
测量BV
GS
.
BV
GD
：击穿电压，栅漏。
I
BD
=栅极宽度为1.0毫安/毫米。排水管固定在地面上，没有源
连接（浮动） 。当1.0毫安/ mm的画在门口，V
GD
测量BV
GD
.
线性模型
R
DG
L
G
G
R
I
R
GS
C
GS
R
1
R
G
C
DG
V
CCS
R
D
L
D
D
C
DS
R
2
R
DS
R
S
L
S
V
DS
= 8.0 V和30 ％I
DSS
在T = 25℃
FET元件
L
G
= 0.010525 nH的
R
G
= 0.21075
R
GS
= 20425
R
I
= 0.3025
C
GS
= 4.84 pF的
C
DG
= 0.4015 pF的
R
DG
= 51000
R
S
= 0.1
L
S
= 0.011 nH的
R
DS
= 24.5025
C
DS
= 1.013 pF的
R
D
= 0.165
L
D
= 0.0055 nH的
VCCS参数
M = 531.6毫秒
A=0
R1 = 1E19
R2 = 1E19
F=0
T = 5.49 PS
5
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