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TS556C,I,M
低功率双路CMOS定时器
.
.
.
.
.
.
.
.
.
极低的功耗:
100μA (典型值)在V
CC
= 5V
高的最大稳态频率
2.7MHz
引脚对引脚和功能
兼容双极NE555
电压范围: + 2V至+ 18V
高输出电流能力
电源电流尖峰减量
输出转换期间
高输入阻抗: 10
12
输出兼容TTL , CMOS
和MOS逻辑
N
DIP14
(塑料包装)
D
SO14
(塑料Micropackage )
订购代码
产品型号
TS556C
TS556I
TS556M
温度
范围
0 C, +70 C
-40, +125
o
C
-55, +125 C
o
o
o
N
q
q
q
D
q
q
q
示例:
TS556CD , TS556IN
引脚连接
( TOP VIEW )
描述
该TS556是一款双通道CMOS定时器,提供了非常
低功耗(ICC
(典型值)
TS556 = 200μA
ICC
(典型值)
NE556 = 6毫安)和高频
(f
( MAX 。 )
TS556 = 2.7MHz - F
( MAX 。 )
NE556 = 0.1兆赫)
因此,无论是在单稳态或非稳态模式,时序
ING仍非常准确。
该TS556提供了降低电源电流
输出转换期间尖峰,使
使用较低的去耦电容相比
于那些由双极NE556必需的。
定时电容器也可以是由于最小化
高输入阻抗( 10
12
).
1997年10月
放电
门槛
控制
电压
RESET
产量
TRIGGER
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
+V
S
放电
门槛
控制
电压
RESET
产量
TRIGGER
1/11
TS556C,I,M
框图
V
CC
14
ESET
4 / 10
TS556
R
2 / 12
R1
+
THRES举行
控制
VOL TAGE
3 / 11
R
Q
R
5 /9
产量
-
A
S
+
TR igger
6/8
-
B
1 / 13
R
7
DIS负责
RESET
X
TRIGGER
x
门槛
x
x
产量
以前的状态
电平电压
最小电压规定
电平电压
最大电压规定
不相干
绝对最大额定值
符号
V
CC
T
J
参数
电源电压
结温
价值
+18
+150
单位
V
o
C
热特性
符号
T
OPER
参数
工作温度范围
TS556C
TS556I
TS556M
存储温度范围
价值
0至+70
-40到+125
-55到+125
-65到+150
o
单位
o
C
T
英镑
C
2/11
V
CC
R1
50k
Τ1
Τ21
Τ20
Τ26
Τ27
Τ31
Τ30
Τ11
Τ2
Τ12
Τ13
Τ10
原理图
( 1/2 TS556 )
R2
50k
R7
门槛
Τ34
控制电压
Τ8 Τ9
Τ25
R3
Τ4
产量
TRIGGER
50k
R4
50k
Τ6
Τ7
Τ23
Τ14
Τ18
Τ19
Τ24
放电
R5
Τ5
50k
Τ28
Τ29
Τ32
Τ35
R6
Τ17
Τ15
Τ16
Τ22
Τ33
50k
GND
RESET
TS556C,I,M
3/11
TS556C,I,M
工作条件
符号
V
CC
电源电压
参数
价值
2到16
单位
V
静态电气特性
V
CC
= + 2V ,T
AMB
= +25
o
C,复位到V
CC
(除非另有规定编)
符号
I
CC
参数
电源电流(无负载,高和低状态)
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
控制电压
T
AMB
= + 25
o
C
T
.
T
AMB
T
最大
.
放电饱和电压(I
DIS
= 1毫安)
T
AMB
= + 25
o
C
T
.
T
AMB
T
最大
.
低电平输出电压(I
SINK
= 1毫安)
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
高电平输出电压(I
来源
= -0.3mA )
T
AMB
= + 25
o
C
T
.
T
AMB
T
最大
.
触发电压
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
触发电流
阈值电流
复位电压
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
复位电流
放电端子泄漏电流
0.4
0.3
1.5
1.5
0.4
0.3
1.2
1.1
TS556C-TS556I-TS556M
分钟。
典型值
130
马克斯。
400
400
1.4
1.5
V
0.05
0.2
0.25
V
0.1
0.3
0.35
V
1.9
V
0.67
10
10
1.1
10
1
100
1.5
2.0
pA
nA
0.95
1.05
pA
pA
V
单位
A
V
V
CL
1.3
V
DIS
V
OL
V
OH
V
TRIG
I
TRIG
I
TH
V
RESET
I
RESET
i
DIS
4/11
TS556C,I,M
静态电气特性
(续)
V
CC
= + 5V ,T
AMB
= +25
o
C,复位到V
CC
(除非另有规定编)
符号
I
CC
参数
电源电流(无负载,高和低状态)
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
控制电压
T
AMB
= + 25
o
C
T
.
T
AMB
T
最大
.
放电饱和电压(I
DIS
= 10毫安)
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
低电平输出电压(I
SINK
= 8毫安)
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
高电平输出电压(I
来源
= -2mA )
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
触发电压
o
T
AMB
= + 25 C
T
.
T
AMB
T
最大
.
触发电流
阈值电流
复位电压
T
AMB
= + 25
o
C
T
.
T
AMB
T
最大
.
复位电流
放电端子泄漏电流
0.4
0.3
4.4
4.4
1.36
1.26
2.9
2.8
TS556C-TS556I-TS556M
分钟。
典型值
220
马克斯。
500
500
3.8
3.9
V
0.2
0.3
0.35
V
0.3
0.6
0.8
V
4.6
V
1.67
10
10
1.1
10
1
100
1.5
2.0
pA
nA
1.96
2.06
pA
pA
V
单位
A
V
V
CL
3.3
V
DIS
V
OL
V
OH
V
TRIG
I
TRIG
I
TH
V
RESET
I
RESET
I
DIS
5/11
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    TS556ID
    -
    -
    -
    -
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TS556ID
ST
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SOP14
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TS556ID
ST
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STMicroelectronics
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TS556ID
STMicroelectronics
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全新原装现货,原厂代理。
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ST
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ST
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ST
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STM
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