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IR3513Z
VCCL编程电阻
R
VCCLFB1
和
R
VCCLFB2
因为VCCL电压成正比的MOSFET栅极驱动损耗和反比于MOSFET的
导通损耗，最佳电压应选择以最大化转换器的效率。 VCCL线
调节器是由一个外部NPN晶体管，一个陶瓷电容器和一个可编程电阻分压器的。预
选择R
VCCLFB1
和计算R
VCCLFB2
从（11） 。
R
VCCLFB
2
=
R
VCCLFB
1
*1.19
VCCL
1.19
(11)
VCCL电容器
C
VCCL
电容器是基于线性稳压器的稳定性要求，负载电流被驱动地选择。
线性调节器提供的相位IC的偏置和栅极驱动电流。一个4.7uF的正常，确保稳定VCCL
表现于大多数应用。
VCCL稳压器驱动电阻
R
VCCLDRV
驱动电阻主要取决于线性调节器和最小的负载电流需求
输入电压要求。下面的等式给出了切换的平均负载电流的估计
相位IC 。
I
DRIVE
_
AVG
=
(
Q
gb
+
Q
gt
)
n
+
I
VCCL
_
小灵通
(
n
1)
+
I
VCCL
_
C
(12)
Q
gb
和Q
gt
有顶部和底部的FET的栅极电荷，我
VCCL_PHS
是相位IC- S的VCCL目前，
I
VCCL_C
是控制器在VCC的电流，n是相数。为最小输入电压和一个
最大VCCL的最大R
VCCLDRV
以使用在VCC驱动的全下拉电流需要由下式给出
R
VCCLDRV
=
V
I
（分钟）
0.7
VCCL
（最大）
I
DRIVE
_
AVG
/
β
民
(13)
由于VCCLDRV引脚有限的下拉能力，确保满足以下条件。
V
I
（最大）
0.7
VCCL
（分钟）
＆ LT ;
10
mA
R
VCCLDRV
(14)
在上述方程中，V
I
（分钟）和V
I
（max）是最小和最大预期的输入电压。另一方面，如果上述
条件不成立时，有必要使用一个设备具有更高的
β
民
或者可以使用达林顿配置
代替单个NPN晶体管。
电感电流检测电容
C
CS
和电阻
R
CS
电感的直流电阻是用于感测电感器电流。通常电阻R
CS
和电容器C
CS
在与电感器并联被选择为整个匹配电感器的时间常数，因此，电压
电容C
CS
表示电感器的电流。如果这两个时间常数是不一样的，对AC分量
电容器电压是从实际电感器电流的不同。的时间常数失配不影响
在多个阶段中的平均电流共享，但会影响电流信号ISHARE 。
测量的电感L和电感器的直流电阻R
L
。预选择电容C
CS
和计算R
CS
as
如下。
L R
L
(15)
R
CS
=
C
CS
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2009年5月11日
