飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
BSH205
栅 - 源电压，V GS （V）的
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
1
2
3
栅极电荷（ NC）
4
VDD = 10 V
RD = 20欧姆
TJ = 25℃
BSH205
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
源极 - 漏极二极管电流IF （ A）
BSH205
150 C
TJ = 25℃
0
5
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏源电压， VSDS （V ）
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
)
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
1998年8月
5
启1.000
