飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
特点
非常低阈值电压
快速开关
兼容逻辑电平
超小型表面贴装
包
BSH205
符号
s
快速参考数据
V
DS
= -12 V
I
D
= -0.75 A
R
DS （ ON）
≤
0.5
(V
GS
= -2.5 V)
V
GS （ TO ）
≥
0.4 V
d
g
概述
P沟道增强模式
逻辑电平，场效应功率
晶体管。这种装置具有低
阈值电压和极
快速切换，非常适合
电池供电应用及
高速数字接口。
该BSH205在所提供的
SOT23
超小型
表面
安装包。
钉扎
针
1
2
3
门
来源
漏
描述
SOT23
3
顶视图
1
2
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
R
GS
= 20 k
T
a
= 25 C
T
a
= 100 C
T
a
= 25 C
T
a
= 25 C
T
a
= 100 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
-12
-12
±
8
-0.75
-0.47
-3
0.417
0.17
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
C
热阻
符号
R
日J-一
参数
热阻结到
环境
条件
FR4板，最小
脚印
典型值。
300
马克斯。
-
单位
K / W
1998年8月
1
启1.000
