飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= -10
A
V
DS
= V
GS
; I
D
= -1毫安
T
j
= 150C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -430毫安
V
GS
= -2.5 V ;我
D
= -430毫安
V
GS
= -1.8 V ;我
D
= -210毫安
V
GS
= -2.5 V ;我
D
= -430毫安;牛逼
j
= 150C
正向跨导
V
DS
= -9.6 V ;我
D
= -430毫安
门源漏电流V
GS
=
±8
V; V
DS
= 0 V
零栅压漏
V
DS
= -9.6 V; V
GS
= 0 V;
当前
T
j
= 150C
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= -0.5 A; V
DD
= -10 V; V
GS
= -4.5 V
分钟。
-12
-0.4
-0.1
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BSH205
典型值。马克斯。单位
-
-
V
V
V
S
nA
nA
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
g
fs
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-0.68
-
-
-
0.18
0.4
0.32
0.5
0.42
0.6
0.48 0.75
1.6
-
±10 ±100
-50
-100
-11
-100
3.8
0.4
1.0
2
4.5
45
20
200
95
41
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= -10 V ;我
D
= -0.5 A;
V
GS
= -8 V ;
G
= 6
阻性负载
V
GS
= 0 V; V
DS
= -9.6 V ; F = 1 MHz的
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
a
= 25 C
I
F
= -0.38 A; V
GS
= 0 V
I
F
= -0.5 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= -9.6 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-0.72
75
69
马克斯。
-0.75
-3
-1.3
-
-
单位
A
A
V
ns
nC
1998年8月
2
启1.000
