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电气特性
其中，K是一个常数有关的特定部分。 。K可从确定
式（3）
通过测量P
D
（在平衡状态下）
对于一个已知的
A
。使用该K的值， P的值
D
和T
J
可以通过求解得到
式（1）
和
式（2）
反复
对于T的任意值
A
.
5.3
ESD保护
表7. ESD保护特性
1, 2
特征
ESD目标的人体模型
1
2
符号
HBM
价值
2000
单位
V
所有的ESD测试符合CDF- AEC -Q100应力测试资格
汽车级集成电路。
一个设备被定义为失败，如果暴露在ESD脉冲后，该设备不再符合
设备规格要求。完整的直流参数测试和功能测试是
每适用的设备规格在室温下进行，随后用热水
温度，除非特定网络连接的设备特定网络阳离子否则主编。
5.4
DC电气规格
表8. DC电气规格
特征
符号
IV
DD
PV
DD
EV
DD
OSCV
DD
RTCV
DD
SDV
DD
SDV
DD
SDV
DD
SDV
REF
V
IH
V
IL
V
HYS
I
in
I
OZ
V
OH
V
OL
民
1.35
1.35
3.0
3.0
1.35
2.25
1.7
1.7
最大
1.65
1.65
3.6
3.6
1.65
2.75
1.9
1.9
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
μA
μA
V
V
内部逻辑电源电压
1
PLL模拟工作电压范围
1
外部I / O引脚的电源电压
内部振荡器电源电压
实时时钟的电源电压
SDRAM的I / O焊盘电源电压 - DDR模式
SDRAM的I / O焊盘电源电压 - DDR2模式
SDRAM的I / O焊盘电源电压 - 移动DDR模式
SDRAM的输入参考电压
输入高电压
输入低电压
输入滞后
输入漏电流
V
in
= V
DD
或V
SS
，输入专用管脚
高阻抗（关闭状态）漏电流
2
V
in
= V
DD
或V
SS
中，所有的输入/输出和输出引脚
输出高电压（所有输入/输出，所有输出引脚）
I
OH
= -5.0毫安
输出低电压（所有输入/输出，所有输出引脚）
I
OL
= 5.0毫安
0.49 X SDV
DD
0.51 X SDV
DD
0.7× EV
DD
V
SS
– 0.3
0.06 X EV
DD
–1.0
–10.0
0.85
×
EV
DD
__
3.65
0.35 X EV
DD
—
1.0
10.0
__
0.15
×
EV
DD
MCF5445x的ColdFire
微处理器数据手册，第3
飞思卡尔半导体公司
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