恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2
a
03aa27
V
DS
I
D
1.5
V
GS （ PL ）
V
GS （ TH）
V
GS
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
Q
G（ TOT ）
003aaa508
1
0.5
Q
GS
0
-60
0
60
120
T
j
(
°
C)
180
图14.栅极电荷波形定义
图13.归漏极 - 源极导通状态
阻力系数为结点的函数
温度
10
V
GS
(V)
8
003aac448
6000
C
国际空间站
C
（PF ）
C
OSS
4000
003aac454
6
V
DS
= 12 (V)
4
2000
2
C
RSS
V
DS
= 19 (V)
0
0
20
40
60
Q
G
（ NC ）
80
0
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图15，栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值
图16.输入，输出和反向传输
电容随着漏 - 源的函数
电压;典型值
PSMN1R7-30YL_1
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初步数据表
版本01 - 2008年9月11日
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