恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
8000
C
（PF ）
6000
C
国际空间站
003aac455
3
V
GS （ TH）
(V)
最大
2
典型值
003aab272
4000
C
RSS
1.5
民
1
2000
0.5
0
2
4
6
8
V
GS
(V)
10
0
-60
0
60
120
T
j
(°C)
180
图9.输入和反向传输电容为
栅极 - 源极电压的函数;典型
值
10
3
I
D
(A)
10
4
民
典型值
003aab271
图10.栅源阈值电压为
结温度的函数
3.0
R
DSON
(mΩ)
2.5
003aac451
最大
2.0
10
5
1.5
10
6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(V)
1.0
2
4
6
8
V
GS
(V)
10
图11，子阈值漏电流的函数
栅极 - 源极电压的
图12.漏源导通电阻为
栅极 - 源极电压的函数;典型
值
PSMN1R7-30YL_1
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初步数据表
版本01 - 2008年9月11日
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