恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
表6 。
符号
V
SD
t
rr
Q
r
特征
- 续
参数
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
条件
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图17
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / S ; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 20 V
民
-
-
-
典型值
0.88
45
56
最大
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
源极 - 漏极二极管
300
I
D
4
(A)
10 3.6
250
3.4
200
3
150
2.8
100
2.6
50
2.4
2.2
0
2
4
6
V
GS
(V) = 3.2
003aac449
5
R
DSON
(mΩ)
4
003aac450
V
GS
(V) = 3.4
3
3.6
4
2
7
10
1
8
V
DS
(V)
10
0
50
100
150
200
I
D
(A)
250
0
图5.输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型
值
200
g
fs
(S)
150
003aac452
图6.漏源导通电阻为
漏电流的函数;典型值
80
I
D
(A)
60
003aac453
100
40
T
j
= 150
°C
50
20
25
°C
0
0
20
40
60
I
D
(A) 80
0
0
1
2
3 V (V) 4
GS
图7.正向跨导作为一个功能
漏电流;典型值
PSMN1R7-30YL_1
图8.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型
值
NXP B.V. 2008保留所有权利。
初步数据表
版本01 - 2008年9月11日
6 13
