512千位/ 1兆位/ 2兆位1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020
超前信息
读状态寄存器（ RDSR ）
在读状态寄存器（ RDSR ）指令， 05H ，使得
读状态寄存器。状态寄存器可
即使是在写在任何时候读取（编程/擦除）
操作。当一个写操作正在进行，忙
位可以发送任何新的命令前应检查
确保在新的命令被正确地接收
该设备。 CE＃必须在RDSR前驱动为低电平
指令输入，并保持低电平直到状态数据
读取。读状态寄存器是连续的，持续的
时钟周期，直到它由一个低终止到高电平的转换
的CE＃ 。参见图17 RDSR指令
序列。
CE＃
模式3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
SCK
SI
SO
模式0
05
最高位
高阻抗
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
状态
登记手续
1327 F17.0
图17 ：读状态寄存器（ RDSR ）序列
写使能（WREN ）
写使能（ WREN）指令， 06H ，设置直写
在状态使能锁存位为1 ，允许写入
发生的操作。 WREN指令必须是exe-
之前的任何写（编程/擦除）操作cuted 。该
WREN指令也可以被用来允许执行的
在写状态寄存器（ WRSR ）指令;不过，
在状态寄存器的写使能锁存位将是
在上升沿CE＃ WRSR指令的清除。
CE＃必须驱动为高电平前WREN指令
执行。参见图18 WREN指令
序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
模式0
SI
最高位
06
高阻抗
1328 F18.0
SO
图18 ：写使能（ WREN ）序列
2006硅存储技术公司
S71328-01-000
02/07
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