512千位/ 1兆位/ 2兆位1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020
超前信息
扇区擦除
扇区擦除指令清除所选的所有4位
KB扇区为FFH 。一个扇区擦除指令适用于
受保护的存储器区域将被忽略。在此之前的任何写
操作时，写使能（ WREN）指令必须是
执行。 CE＃必须保持有效低电平的持续时间
任何命令序列。扇区擦除指令
通过执行一个8位的命令启动，20H ，其次是
地址位[A
23
-A
0
] 。地址位[A
MS
-A
12
] (A
MS
=最
显著地址）被用来确定该扇区
地址（SA
X
） ，其余的地址位可以是V
IL
或V
IH 。
CE＃必须驱动为高电平的指令执行前。
用户可以轮询软件状态的忙位寄存器
器或等待牛逼
SE
为完成内部的自定时
扇区擦除周期。参见图13的扇区擦除
序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
20
添加。
最高位
添加。
添加。
SO
高阻抗
1326 F13.0
图13 ：扇区擦除序列
32 KB的块擦除
块擦除指令会将所选32位的所有
K字节块为FFH 。 A座擦除指令适用于
受保护的存储器区域被忽略。在此之前的任何写能操作
ATION ，写使能（ WREN）指令必须是exe-
cuted 。 CE＃必须保持有效低电平的任何时间
命令序列。块擦除指令initi-
通过执行一个8位的命令ated ， 52H ，接着
地址位[A
23
-A
0
] 。地址位[A
MS
-A
15
] (A
MS
=最
显著地址）被用来确定块地址
（ BA
X
） ，其余的地址位可以是V
IL
或V
IH 。
CE ＃必须
驱动为高电平的指令执行前。轮询
软件状态忙位寄存器或等待牛逼
BE
对于
内部自定时块擦除完成。参见图 -
URE 14块擦除序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
52
ADDR
最高位
ADDR
ADDR
SO
高阻抗
1328 F14.0
图14 ： 32 KB的块擦除序列
2006硅存储技术公司
S71328-01-000
02/07
15
