512千位/ 1兆位/ 2兆位1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020
超前信息
64 KB的块擦除的SST25WF020
块擦除指令会将所选64位的所有
K字节块为FFH 。 A座擦除指令适用于
受保护的存储器区域被忽略。在此之前的任何写能操作
ATION ，写使能（ WREN）指令必须是exe-
cuted 。 CE＃必须保持有效低电平的任何时间
命令序列。块擦除指令initi-
通过执行一个8位的命令ated ， D8H ，随后
地址位[A
23
-A
0
] 。地址位[A
MS
-A
16
] (A
MS
=最
显著地址）被用来确定块地址
（ BA
X
） ，其余的地址位可以是V
IL
或V
IH 。
CE ＃必须
驱动为高电平的指令执行前。轮询
软件状态忙位寄存器或等待牛逼
BE
对于
内部自定时块擦除完成。参见图 -
URE 15块擦除序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
D8
ADDR
最高位
ADDR
ADDR
SO
高阻抗
1328 F15.0
图15 ： 64 KB的块擦除序列
芯片擦除
芯片擦除指令清除设备中的所有位
FFH 。芯片擦除指令将被忽略，如果任何MEM-的
储器区域被保护。之前的任何写操作，则
写使能（ WREN）指令必须执行。 CE＃
必须保持有效低电平的片擦除的持续时间
指令序列。芯片擦除指令启动
通过执行8位命令60H或C7H 。 CE＃必须
驱动为高电平指令执行前。可在用户
轮询软件状态的忙位寄存器或等待牛逼
CE
为完成内部自定时芯片擦除的
周期。参见图16为芯片擦除序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
模式0
SI
最高位
60或C7
高阻抗
1328 F16.0
SO
图16 ：芯片擦除序列
2006硅存储技术公司
S71328-01-000
02/07
16
