288MB ： X9 ， X18 ， X36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， HSTL ， CIO ， RLDRAM II
概述
概述
美光
低延迟DRAM （ RLDRAM
） II是一个高速存储设备
专为高带宽的数据存储，通信，网络和
缓存应用程序等芯片的8银行架构可持续的高优化
高速操作。
在DDR I / O接口传输每个时钟周期两个数据字在I / O的球。产量
数据是相对于自由运行输出数据时钟。
命令，地址和控制信号被登记在的每个正边沿
差分输入时钟，当输入数据被记录在正的和负的边缘
的输入数据时钟（多个） 。
读取和写入访问的RLDRAM被爆为主导。脉冲串长度（BL）是
2 ，4，或8通过设置模式寄存器可编程的。
该器件具有2.5V和1.8V的核心， 1.5V或1.8V的输出提供
驱动程序。
银行调度刷新支持与内部产生的行地址。
该μBGA 144球包是用来使超高速的数据传输速率和
从初代的设备简单的升级路径。
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288Mb_RLDRAM_II_CIO_D2.fm - 冯M 9/07 EN
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