初步
AC开关特性
参数
柏
Alt键。
参数参数
SRAM读周期
t
ACE
t
RC [4]
t
AA [5]
t
美国能源部
t
OHA [5]
t
LZCE [6]
t
HZCE [6]
t
LZOE [6]
t
HZOE [6]
t
聚氨酯[3]
t
PD [3]
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
HZWE [6,7]
t
LZWE
[6]
CY22E016L
25ns的一部分
描述
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
25
20
20
10
0
20
0
0
10
0
25
0
10
5
5
10
25
25
10
分钟。
马克斯。
25
一部分为35ns
分钟。
马克斯。
35
35
35
15
5
5
13
0
13
0
35
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
为45nS部分
分钟。
马克斯。
45
45
45
20
5
5
15
0
15
0
45
45
30
30
15
0
30
0
0
14
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
SRAM写周期
自动存储/电RECALL
CY22E016L
参数
t
HRECALL [8]
t
店[ 9 ]
t
延迟
V
开关
V
RESET
描述
上电召回时间
STORE周期的持续时间
时间可以完成SRAM周期
低电压触发电平
低电压复位电平
1
4.0
4.5
3.6
分钟。
马克斯。
550
10
单位
s
ms
s
V
V
注意事项：
4.我们必须为高电平期间SRAM读周期。
5.设备不断选择CE和OE两者低。
6.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
7.如果我们是低的时候CE变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
8. t
HRECALL
开始从时间V
CC
上升超过V
开关。
9.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有商店将如期举行。
文件编号： 001-06727修订版* C
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