初步
开关波形
（续）
t
WC
地址
CY22E016L
t
SCE
CE
t
HA
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
SD
t
HD
DATA IN
数据有效
t
HZWE
数据输出
以前的数据
高阻抗
t
LZWE
图8. SRAM写周期＃ 1 ：我们控制
[12,13]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
AW
t
PWE
t
SCE
t
HA
WE
t
SD
DATA IN
数据有效
t
HD
数据输出
高阻抗
图9. SRAM写周期2： CE受控
注意：
13. CE或我们必须> V
IH
在地址转换。
文件编号： 001-06727修订版* C
第10页14
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