初步
CY22E016L
16千位（ 2K ×8 ）的nvSRAM
特点
25纳秒， 35 ns到45 ns的访问时间
“放手”自动
商店
电力打倒
外接68μF电容
商店
到QuantumTrap
非易失性元件是
通过硬件或自动存储启动
在掉电
召回
到SRAM启动了电
=无限
读，写
和
召回
周期
10 mA典型我
CC
在200 ns的周期时间
1,000,000
商店
周期来QuantumTrap
100年的数据保存到QuantumTrap
单5V工作电压+ 10 ％
商业，工业温度
SOIC封装
符合RoHS标准
功能说明
赛普拉斯CY22E016L是一个快速静态RAM与nonvol-
在每个静态存储单元整合atile元素。该
SRAM可以读取和写入的无数次，
而独立的，非易失性的数据驻留在非易失性
元素。从SRAM到非易失性的数据传输
元素（ STORE操作）可以自动进行
在断电。一个68 μF或更大的电容， V绑
帽
to
地保证了存储操作，而不管
掉电摆率或功率从“热插拔”的损失。
从非易失性元件的SRAM传输（在
RECALL操作）自动进行的恢复
力。五金店可以与HSB引脚启动。
逻辑框图
V
CC
V
帽
量子阱
32 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
商店
动力
控制
商店/
召回
控制
行解码器
静态RAM
ARRAY
32 X 512
召回
HSB
DQ
0
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
列I / O
输入缓冲器
DQ
1
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06727修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年11月28日
[+ ]反馈
