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EtronTech
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
4M ×32 LPSDRAM
EM669325
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
项
输入，输出电压
电源电压
工作温度
储存温度
焊接温度（ 10秒）
功耗
短路输出电流
等级
- 1.0 ~ +4.6
-1.0 ~ +4.6
-25 ~ +85
- 55~ +150
260
1.0
50
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性损坏
该设备。
建议的直流工作条件（大= -25 85°C ）
参数/条件
DRAM内核电源电压
I / O电源电压
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
数据输出高电平（逻辑1 ）电压
数据输出高电平（逻辑1 ）电压
输入漏电流
( 0V V
IN
V
DD
，所有其它引脚不低于
测试= 0V ）
注意：
1
2
3
4
5
所有电压都参考V
SS
.
IOUT = - 2.0毫安
IOUT = + 2.0毫安
VIH （最大） = 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
VIL （分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
民
2.7
2.7
2.0
-0.3
2.4
-
-1.5
典型值
3.0
3.0
2.5
0
-
-
最大
3.6
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
记
1
1
1
1
1,2,4
1,3,5
电容（ V
DD
= 2.5V ， F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
符号
C
I
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
分钟。
6
马克斯。
5
8
单位
pF
pF
注意：
这些参数是周期性采样，不100 ％测试。
初步
15
≦
≦
4
≦ ≦
5ns.
5ns.
修订版0.6
2003年9月
