位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第0页 > EM669325BG-1H/LG > EM669325BG-1H/LG PDF资料 > EM669325BG-1H/LG PDF资料1第14页
EtronTech
11
4M ×32 LPSDRAM
EM669325
装置取消命令（ CS ＃ = "H" ）
该装置取消命令禁用指令译码器，以使RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
和地址输入将被忽略，而不管在CLK是否被使能。此命令类似于
在无操作指令。
自动刷新命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， CKE = "H" ， BA0,1 = “不要在意， A0 -A11 =无关）
在自动刷新命令对SDRAM的正常操作期间使用的，并且类似于
CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新在传统的DRAM 。这个命令是不持久的，所以它
必须刷新每次需要出具。寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得一个自动刷新命令在地址位A "don't care" 。内部
在每个自动刷新周期的所有行的自动刷新计数器递增。刷新
操作必须在64毫秒内执行4096次。需要填写的自动时间
用t指定刷新操作
RC
（分钟） 。提供了自动刷新命令，所有银行需要
在空闲状态和设备不得在掉电模式（ CKE高在上
周期） 。这个命令必须跟NOP指令，直到自动刷新操作完成。该
预充电时间要求，T
RP
（分钟） ，必须连续自动刷新操作之前，必须满足的
进行。
SelfRefresh进入命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， CKE = "L" ， A0 -A11 =无关）
该SelfRefresh是另一刷新模式在SDRAM中可用。它是优选的刷新
模式数据保留和低功耗操作。一旦SelfRefresh命令注册，所有的
输入到SDRAM成为"don't care"除CKE的，它必须保持低电平。
刷新寻址和定时由内部产生，以降低功耗。该
SDRAM中可保持在SelfRefresh模式无限期。该SelfRefresh模式由退出
启动外部时钟，然后在CKE （ SelfRefresh退出命令）断言高。
12
13
14 SelfRefresh退出命令
（ CKE = "H" ， CS ＃ = "H"或CKE = "H" ， RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "H" ）
此命令用于从SelfRefresh模式中退出。一旦该命令被注册，
NOP或取消设备必须在t发出的命令
RC
（分） ，因为需要的时间
任何银行完成目前正在内部进行刷新。如果隔三差五自动刷新周期
在正常操作期间执行的，一阵4096自动刷新周期应该刚刚完成
在进入和退出只是在SelfRefresh模式之后。
15
时钟挂起模式进入/省电模式进入命令（ CKE = "L" ）
当SDRAM中被操作的脉冲串周期，内部时钟是从暂停（屏蔽）
随后的周期发出此命令（主张CKE "LOW" ） 。该设备的操作被保持
完整而CLK暂停。另一方面，当所有银行都处于空闲状态时，该命令
执行进入省电模式。所有输入和输出缓冲器（除所述CKE缓冲器）是
在省电模式关闭。该设备可以不保持在时钟暂停或的PowerDown
状态长于刷新周期（ 64毫秒），因为该命令不执行任何刷新
操作。
时钟挂起模式退出/关机模式退出命令
当内部时钟已经暂停，则内部时钟的操作从重新开始
在随后的循环中通过提供此命令（断言CKE "HIGH" ） 。当该装置处于
省电模式下，器件退出此模式下，所有残疾人缓冲区开启到活动
状态。吨
PDE
当设备从省电模式退出（分钟）是必需的。任何后续
命令可以在从该命令的结束一个时钟周期发出。
数据写入/输出使能，数据面膜/输出禁止命令（ DQM = "L" ， "H" ）
在写周期中， DQM信号用作数据屏蔽，并可以控制每一个字
的输入数据。在读周期中， DQM用作输出缓冲器的控制。 DQM是
也可用于设备的选择，字节选择和总线控制的存储器系统。
16
17
初步
14
修订版0.6
2003年9月
