位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第0页 > EM669325BG-1H/LG > EM669325BG-1H/LG PDF资料 > EM669325BG-1H/LG PDF资料1第11页
EtronTech
7
4M ×32 LPSDRAM
EM669325
写和AutoPrecharge命令（参见下图）
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， BS =银行， A10 = "H" ， A0 - A7 =列地址）
写入和AutoPrecharge命令后，自动进行预充电操作
写操作。一旦指令下达后，任何后续命令可以在一个不会出现
的{ （突发长度-1 ） + T延时
WR
+ t
RP
（分） } 。在整页突发，只写操作是
在这个命令执行和自动预充电功能被忽略。
8
模式寄存器设置命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， BS0,1和A11 - A0 =寄存器数据）
模式寄存器中存储的数据，用于控制SDRAM的各种操作模式。该
模式寄存器设置命令的程序CAS ＃延迟值，寻址模式和连拍功能
在模式寄存器的长度，使SDRAM可用于各种不同的应用。默认
模式寄存器在上电后的值是不确定的;因此，必须发出此命令
在上电序列。销BA0,1和A11 A0在同一周期中的状态，是写入的数据
到模式寄存器。以完成在模式寄存器中的写入（参照一个时钟周期是必需的
如下图所示） 。在模式寄存器中的内容可以使用相同的命令来改变
和运转时的时钟周期的要求，只要所有银行都处于空闲状态。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
tCK2
CKE
时钟分钟。
CS ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
地址键
地址。
DQM
t
RP
DQ
高阻
PrechargeAll
模式寄存器
设置命令
任何
命令
模式寄存器设置循环（ CAS ＃延迟= 2 ， 3 ）
初步
11
修订版0.6
2003年9月
