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PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016V1C -C / C -L ， K6R4016V1C -I / C -P
256K ×16位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间10,12,15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 60毫安（最大）
（ CMOS ） ： 10mA（最）
1.2毫安（最大） L-版本。只
操作K6R4016V1C - 10 ： 160毫安（最大）
K6R4016V1C - 12 ： 150毫安（最大）
K6R4016V1C - 15 ： 140毫安（最大）
单3.3
±0.3V
电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最小数据保存： L-版本。只
中心电源/接地引脚配置
数据字节控制： LB ： I / O1 I / O8 ， UB ： I / O9 I / O16
标准引脚配置
K6R4016V1C -J ： 44 SOJ -400
K6R4016V1C -T ： 44 TSOP2-400BF
K6R4016V1C -F ： 48 -细间距BGA 0.75球间距
CMOS SRAM
概述
该K6R4016V1C是4,194,304位高速静态随机
访问内存（16位）组织为262,144字。该
K6R4016V1C使用16个通用输入和输出线，并具有
输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。此外，它允许该下部和上部
由数据字节的控制（ UB ， LB）字节访问。该装置是fabri-
采用了三星先进的CMOS工艺cated和
专为高速电路技术。它特别好地
适合于高密度的高速系统应用中使用。
该K6R4016V1C封装在一个400mil 44引脚塑料SOJ
或TSOP （ II ）向前或48细间距BGA 。
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
订购信息
K6R4016V1C-C10/C12/C15
商业温度。
工业级温度范围。
K6R4016V1C-I10/I12/I15
预充电电路
行选择
存储阵列
1024行
256 ×16列
数据
续。
数据
续。
将军
CLK
I / O电路&
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
WE
OE
UB
LB
CS
-2-
修订版5.0
2001年9月
