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K6R4016V1C -C / C -L ， K6R4016V1C -I / C -P
文档标题
256Kx16位高速静态RAM （ 3.3V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
1.1删除了低功耗版本。
1.2删除数据保持特性。
1.3改变了我
SB1
至20mA
放松D.C参数。
项
I
CC
12ns
15ns
20ns
前
180mA
175mA
170mA
当前
200mA
195mA
190mA
三月27， 2000
最终科幻
数据稿
2月12日1999
三月29， 1999
备注
初步
初步
修订版2.0
8月19日1999
初步
修订版3.0
3.1初步删除
3.2更新D.C参数和10ns的一部分。
前
I
CC
I
sb
I
sb1
10ns
-
12ns
200mA
70mA
20mA
15ns
195mA
20ns
190mA
I
CC
160mA
150mA
140mA
130mA
当前
I
sb
60mA
I
sb1
10mA
修订版4.0
修订版5.0
添加低功耗版本。
删除20ns的速度斌
四月24， 2000
九月24， 2001
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版5.0
2001年9月
