PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016V1C -C / C -L ， K6R4016V1C -I / C -P
文档标题
256Kx16位高速静态RAM （ 3.3V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
1.1删除了低功耗版本。
1.2删除数据保持特性。
1.3改变了我
SB1
至20mA
放松D.C参数。
项
I
CC
12ns
15ns
20ns
前
180mA
175mA
170mA
当前
200mA
195mA
190mA
三月27， 2000
最终科幻
数据稿
2月12日1999
三月29， 1999
备注
初步
初步
修订版2.0
8月19日1999
初步
修订版3.0
3.1初步删除
3.2更新D.C参数和10ns的一部分。
前
I
CC
I
sb
I
sb1
10ns
-
12ns
200mA
70mA
20mA
15ns
195mA
20ns
190mA
I
CC
160mA
150mA
140mA
130mA
当前
I
sb
60mA
I
sb1
10mA
修订版4.0
修订版5.0
添加低功耗版本。
删除20ns的速度斌
四月24， 2000
九月24， 2001
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
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修订版5.0
2001年9月
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016V1C -C / C -L ， K6R4016V1C -I / C -P
256K ×16位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间10,12,15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 60毫安（最大）
（ CMOS ） ： 10mA（最）
1.2毫安（最大） L-版本。只
操作K6R4016V1C - 10 ： 160毫安（最大）
K6R4016V1C - 12 ： 150毫安（最大）
K6R4016V1C - 15 ： 140毫安（最大）
单3.3
±0.3V
电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最小数据保存： L-版本。只
中心电源/接地引脚配置
数据字节控制： LB ： I / O1 I / O8 ， UB ： I / O9 I / O16
标准引脚配置
K6R4016V1C -J ： 44 SOJ -400
K6R4016V1C -T ： 44 TSOP2-400BF
K6R4016V1C -F ： 48 -细间距BGA 0.75球间距
CMOS SRAM
概述
该K6R4016V1C是4,194,304位高速静态随机
访问内存（16位）组织为262,144字。该
K6R4016V1C使用16个通用输入和输出线，并具有
输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。此外，它允许该下部和上部
由数据字节的控制（ UB ， LB）字节访问。该装置是fabri-
采用了三星先进的CMOS工艺cated和
专为高速电路技术。它特别好地
适合于高密度的高速系统应用中使用。
该K6R4016V1C封装在一个400mil 44引脚塑料SOJ
或TSOP （ II ）向前或48细间距BGA 。
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
订购信息
K6R4016V1C-C10/C12/C15
商业温度。
工业级温度范围。
K6R4016V1C-I10/I12/I15
预充电电路
行选择
存储阵列
1024行
256 ×16列
数据
续。
数据
续。
将军
CLK
I / O电路&
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
WE
OE
UB
LB
CS
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2001年9月
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K6R4016V1C -C / C -L ， K6R4016V1C -I / C -P
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
CMOS SRAM
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
I / O
1
I / O
2
I / O
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44 A
17
43 A
16
42 A
15
41 OE
40 UB
39 LB
38 I / O
16
37 I / O
15
36 I / O
14
D
VSS
I/O4
A17
A7
I/O12
VCC
C
I/O2
I/O3
A5
A6
I/O11
I/O10
B
I/O1
UB
A3
A4
CS
I/O9
A
LB
OE
A0
A1
A2
N.C
I / O
4
10
VCC 11
VSS 12
I / O
5
13
I / O
6
14
I / O
7
15
I / O
8
16
WE 17
A
5
18
A
6
19
A
7
20
A
8
21
A
9
22
SOJ /
TSOP2
35 I / O
13
34 Vss的
33的Vcc
32个I / O
12
31 I / O
11
30 I / O
10
29 I / O
9
28 N.C
27 A
14
26 A
13
25 A
12
24 A
11
23 A
10
H
N.C
A8
A9
A10
A11
N.C
G
I/O8
N.C
A12
A13
WE
I/O16
F
I/O7
I/O6
A14
A15
I/O14
I/O15
E
VCC
I/O5
N.C
A16
I/O13
VSS
48-CSP
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
17
WE
CS
OE
LB
UB
I / O
1
- I / O
16
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
低字节控制（I / O
1
-I / O
8
)
上个字节的控制（ I / O
9
-I / O
16
)
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
无连接
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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修订版5.0
2001年9月
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K6R4016V1C -C / C -L ， K6R4016V1C -I / C -P
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3**
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3***
0.8
单位
V
V
V
V
CMOS SRAM
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA
.
*** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
COM 。
10ns
12ns
15ns
IND 。
10ns
12ns
15ns
待机电流
I
SB
I
SB1
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
正常
L-版本
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
160
150
140
175
165
155
60
10
1.2
0.4
-
V
V
mA
单位
A
A
mA
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
-4-
修订版5.0
2001年9月
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K6R4016V1C -C / C -L ， K6R4016V1C -I / C -P
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 3.3 ±0.3V ，除非另有说明。 ）
测试条件*
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*上述试验条件也适用于工业温度范围。
CMOS SRAM
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
+3.3V
R
L
= 50
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50
30pF*
319
D
OUT
353
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
读周期*
K6R4016V1C-10
K6R4016V1C-12
K6R4016V1C-15
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
OH
民
10
-
-
-
-
3
0
0
0
0
0
3
最大
-
10
10
5
5
-
-
-
5
5
5
-
民
12
-
-
-
-
3
0
0
0
0
0
3
最大
-
12
12
6
6
-
-
-
6
6
6
-
民
15
-
-
-
-
3
0
0
0
0
0
3
最大
-
15
15
7
7
-
-
-
7
7
7
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
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修订版5.0
2001年9月
QQ：2880707522 复制
