CY14B101K
AC开关特性
参数
柏
Alt键。
参数参数
SRAM读周期
t
ACE
t
RC [ 12 ]
t
AA [13]
t
美国能源部
t
OHA
[13]
25 ns的部分
描述
民
最大
35 ns的部分
民
最大
45 ns的部分
民
最大
单位
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
OW
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址设置为写操作结束
地址设置到开始写
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
3
25
20
20
10
0
20
0
0
0
0
3
3
25
25
35
25
12
3
3
10
0
10
0
25
35
25
25
12
0
25
0
0
10
3
35
45
35
15
3
3
13
0
13
0
35
45
30
30
15
0
30
0
0
13
3
45
45
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
LZCE[14]
t
HZCE [14]
t
LZOE[14]
t
HZOE [14]
t
聚氨酯[11]
t
PD [11]
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
LZWE [14]
15
15
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SRAM写周期
t
HZWE [14 ， 15]
t
WZ
15
ns
ns
自动存储/上电RECALL
参数
t
HRECALL [16]
t
店[ 17 ， 18 ]
V
开关
t
VCCRISE
描述
上电RECALL时间
STORE周期的持续时间
低电压触发电平
VCC上升时间
150
CY14B101K
民
最大
20
12.5
2.65
单位
ms
ms
V
μs
笔记
11.这些参数是保证，但未经测试。
12.我们必须为高电平期间SRAM读周期。
13.设备不断选择CE和OE都为低。
14.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
15.如果WE为低时， CE变低时，输出保持在高阻抗状态。
16. t
HRECALL
开始从时间V
CC
上升超过V
开关
.
17.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有店面发生。
18.工业级设备需要15 ms以下。
文件编号： 001-06401修订版* G
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