CS5308
Q
G
是MOSFET的总栅极电荷，以获得
DS （ ON）
.
在数据表中一般规定。
V
g
是栅极驱动电压。
Q
RR
是的反向恢复电荷
低
MOSFET。
Q
OSS
是MOSFET的输出电荷，在数据中指定
表。
对于较低或同步MOSFET ，功率
散热可以从近似计算：
PD器，同步
+
(IRMS,SYNCH2
@
RDS （ ON） ）
)
（ Vfdiode
@
IO ， MAX 2
@
t_nonoverlap
@
FSW ）
(26)
所有术语都在为前面的讨论中所定义
控制MOSFET的除外：
IRMS器，同步
+
1
*
D
(27)
@
[(ILo,MAX2
)
劳工组织， MAX
@
劳工组织， MIN
)
劳工组织， MIN2 ） 3] 1 2
第一项表示传导或IR损耗时
MOSFET导通时，第二项表示二极管
在门的非重叠时间中发生的损失。
R
CS1
L1
0A
CS1
其中：
Vf
二极管
是MOSFET的固有的正向电压
二极管在所述转换器的输出电流。
t_nonoverlap是上侧之间的非重叠时间
和更低的栅极驱动器，以防止交叉传导。
这一次是在数据表中通常规定
控制IC 。
+
+
+
w
G
VDRP
COMP
VID设置
IBIAS
VFB
R
VFBK
V
FB
= VID
V
CORE
C
CS1
错误
AMP
R
DRP
R
CS2
L2
0A
CS2
C
CS2
CS
REF
+
G
VDRP
V
DRP
= VID
I
DRP
= 0
I
FBK
= IBIAS
VFB
V
CORE
= VID + IBIAS
VFB
w
R
VFBK
图17. AVP电路空载
当MOSFET的功耗是已知的，则
设计者可以计算出所要求的热阻抗
保持在最坏的情况下指定的结温
工作环境温度
q
T
t
（ TJ
*
TA ） PD
(28)
焊盘尺寸
（以
2
/mm
2
)
0.50/323
0.75/484
1.00/645
1.50/968
单面
1盎司铜
6065°C/W
5560°C/W
5055°C/W
4550°C/W
其中：
q
T
是总热阻抗（Q
JC
+
q
SA
);
q
JC
是的结到外壳热阻
MOSFET ;
q
SA
是的水槽到环境的热阻
散热器假设MOSFET的直接安装（无
用于热“垫”）;
T
J
是规定的最大允许结
温度;
T
A
是最坏的情况下的操作环境温度下进行。
对于TO- 220和TO- 263封装，标准的FR- 4
镀铜电路板都会有近似的热
电阻（Q
SA
），如下所示：
对于任何供电设计，适当的实验室检测
应进行，以确保设计将消散
在最坏的情况下工作条件所需的电力。
在测试过程中考虑的变量应包括：
最高环境温度，最小气流，
最大输入电压，最大负荷，并组成
的变化（即，最坏的情况下的MOSFET
DS （ ON）
） 。此外，该
电感器和电容器分享MOSFET的散热片和
将加热量，提高了电路板的温度
和MOSFET 。对于任何新的设计，它最好有作为
http://onsemi.com
21
