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怀特电子设计
在退出自刷新会自动启用（A
复位DLL ，然后200个时钟周期，必须前发生
READ命令可以发出） 。除CKE输入信号
是在自刷新“无关” 。 VREF电压
也需要自刷新的全部时间。
对于退出自刷新的过程需要一个序列
的命令。首先， CK和CK ＃必须稳定之前
到CKE回到高电平。当CKE为高电平时， DDR
W3E32M72SR-XSBX
必须发出吨SDRAM NOP命令
XSNR
,
因为需要在完成任何内部的时间
刷新正在进行。
一个简单的算法，以满足双方的刷新和DLL
要求是申请NOP指令在t
XSNR
时间，然后一个DLL
复位和之前的NOP为200个时钟周期
施加的任何其他命令。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
, V
CCQ
供应相对于VSS
电压的I相对于Vss / O引脚
工作温T
A
（ MIL ）
工作温T
A
（IND）
储存温度，塑料
-1到3.6
-0.5V到V
CCQ
+0.5V
-55到+125
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
°C
°C
°C
参数
电容（注13 ）
符号
C
I1
CA
C
I2
C
IO
最大
8
10
9
10
单位
pF
pF
pF
pF
输入电容： CK / CK ＃
地址， BA
0-1
输入电容
输入电容：所有其他输入专用管脚
输入/输出电容： I / O的
注：压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
BGA封装热阻
描述
结到环境（无空中溢流）
结到球
结到外壳（顶部）
符号典型值单位
的Theta JA
热阻JB
西塔JC
15.8
15.7
7.2
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1
1
1
注意：这些典型热阻是各DRAM芯片;如果使用的总功率
在MCP中，除以上述值
ve(5).
请参阅"PBGA热阻Correlation" （应用笔记）在www.whiteedc 。
COM应用程序中的说明部分进行建模的条件。
注册推荐工作条件
参数/条件
V
IH
交流高电平的输入电压
V
IL
AC低电平输入电压
V
IH
高电平输入电压
V
IL
低电平输入电压
数据输入
数据输入
RESET＃
RESET＃
1.7
0.7
民
V
REF
+310mV
V
REF
-310mV
最大
单位
V
V
V
V
注意：该装置的RESET＃输入必须在有效的逻辑电平被保持（未
浮动），以确保器件正常工作。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年7月
第3版
10
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
