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怀特电子设计
真值表 - 命令（注1 ）
名称（功能）
DESELECT （NOP） （9）
无操作（ NOP ） （ 9 ）
ACTIVE （选择银行并激活行） （ 3 ）
READ （选择银行和列，然后开始读突发） （ 4 ）
WRITE （选择银行和列，然后开始写突发） （ 4 ）
BURST TERMINATE （ 8 ）
预充电（停用排在银行或银行） （ 5 ）
自动刷新或自刷新（进入自刷新模式）， （6,7 ）
加载模式寄存器（ 2 ）
CS ＃
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS ＃
X
H
L
H
H
H
L
L
L
W3E32M72SR-XSBX
CAS ＃
X
H
H
L
L
H
H
L
L
WE＃
X
H
H
H
L
L
L
H
L
ADDR
X
X
行/列
行/列
行/列
X
CODE
X
操作码
真值表 - DM操作
名称（功能）
写使能（ 10 ）
写保护（ 10 ）
DM
L
H
的DQ
有效
X
RESET＃
H
H
H
L
寄存器功能表
输入
RCK
↑
↑
L或H
X或
浮动
RCK ＃
↓
↓
L或H
X或
浮动
输入
H
L
X
X或
浮动
产量
Q
H
L
Q
0
L
注意事项：
1. CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
2. A0-12德网络连接网元的操作码被写入到所选择的模式寄存器。 BA0 ， BA1
选择的模式寄存器（ 0 ，0）或扩展模式寄存器（ 1 ，0）。
3. A0-12提供行地址和BA0 ， BA1提供银行地址。
4. A0-9提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电功能（非
持续性） ，而A10 LOW禁用自动预充电功能; BA0 ， BA1提供
银行地址。
5. A10低： BA0 ， BA1确定银行被预充电。 A10高：所有银行
预充电和BA0 ， BA1是“不在乎。 ”
6.
此命令自动刷新，如果CKE高;自刷新，如果CKE是
低。
7.内部刷新计数器控制行寻址;所有的输入和I / O的“不要
关心“除了CKE 。
8.仅适用于突发读取自动预充电禁用;这个命令是
理解过程把音响定义（并且不应该被使用）与自动预充电为读使能脉冲串
和写突发。
9.取消和NOP在功能上是可以互换的。
10.用于掩蔽写数据;与相应的数据提供一致。
一个自动重新FRESH命令。每个DDR SDRAM
需要自动刷新周期，平均时间间隔
的7.8125μs （最大值） 。
以允许在调度中提高效率和
任务之间切换时，在绝对一些灵活性
提供刷新的时间间隔。最多8 AUTO
刷新命令可以发布到任何给定的DDR
SDRAM中，这意味着最大的绝对时间间隔
任何自动刷新命令和下之间
自动刷新命令是9× 7.8125μs （ 70.3μs ） 。这
最大绝对间隔，以便未来支持
DLL更新内部的DDR SDRAM受到限制
自动刷新周期，而不允许过度
漂在T
AC
更新之间。
虽然不是JEDEC的要求，为今后
功能特点， CKE必须激活（高）中
自动刷新周期。自动刷新周期
开始时自动刷新命令注册
结束吨
RFC
后来。
自刷新*
在自刷新命令可以用来保留
在DDR SDRAM的数据，即使该系统的其余部分是
断电。当在自刷新模式时，在DDR
SDRAM保留数据，而无需外部时钟。在自
刷新命令是一样的自动刷新启动
命令除CKE被禁用（ LOW） 。该DLL
在进入自刷新自动禁止，
*自刷新只在商用和工业温度可用。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年7月
第3版
9
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