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怀特电子设计
WV3EG232M64STSU-D4
初步
I
DD
规格和测试条件
-40 ° C≤牛逼
A
= 85°C ，V
CC
= V
CCQ
= 2.5V ±0.2V
参数
工作电流：
符号
I
DD0*
条件
一台设备的银行活动的;主动预充电;吨
RC
= t
RC （分钟）
; t
CK
= t
CK （分钟）
; DQ ， DM
和DQS输入每时钟周期一次改变;地址和控制输入
改变每两个时钟周期一次
一台设备的银行;主动读预充电; BL = 4;吨
RC
= t
RC （分钟）
; t
CK
= t
CK （分钟）
;
I
OUT
= 0毫安;地址和控制输入，每时钟周期一次改变
所有器件的银行处于闲置状态;掉电模式;吨
CK
= t
CK （分钟）
; CKE =低
CS ＃ =高;所有器件的银行处于闲置状态;吨
CK
= t
CK （分钟）
; CKE =高;地址
和其他控制输入变化的每个时钟周期一次。 V
IN
= V
REF
针对DQ ，
DQS和DM
一台设备的银行活动的;掉电模式;吨
CK
= t
CK （分钟）
; CKE =低
CS ＃ =高; CKE =高;一台设备的银行活动的;吨
RC
= t
RAS （最大）
; t
CK
=
t
CK （分钟）
; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址
其他的控制输入每个时钟周期改变一次
突发= 2;读取;连续的爆裂;一台设备的银行活动的;地址
其他的控制输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
= t
CK （分钟）
; I
OUT
= 0毫安
突发= 2;写;连续的爆裂;一台设备的银行活动的;地址
其他的控制输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
= t
CK （分钟）
; DQ ， DM和
DQS输入每个时钟周期改变的两倍
t
RC
=t
RFC （分钟）
CKE < 0.2V
四大银行设备读操作交错突发= 4自动预充电;吨
CK
=
t
CK （分钟）
;地址和控制输入过程中主动只读改变，或
写命令
DDR333 @
CL = 2.5最大
840
单位
mA
工作电流
Percharge加电
向下待机电流
空闲待机电流
I
DD1*
I
DD2P**
I
DD2F**
1120
40
240
mA
mA
mA
主动掉电
待机电流
主动待机
当前
工作电流
工作电流
I
DD3P**
I
DD3N**
240
360
mA
mA
I
DD4R*
I
DD4W*
1360
1480
mA
mA
自动刷新当前
自刷新电流
Orerating电流
I
DD5**
I
DD6**
I
DD7A*
1640
40
3040
mA
mA
mA
注意：
I
DD
特定网络连接的阳离子是基于
三星
组件。其它DRAM制造商特定网络连接的阳离子可以是不同的。
*数值计算为一个模块级在我这运行状况及其他模块排名
DD2P
（ CKE LOW ）模式。
**计算所有模块的行列，此操作条件值。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年9月
第1版
7
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
