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怀特电子设计
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
和V
CCQ
供应相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗
短路输出电流
WV3EG232M64STSU-D4
初步
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC,
V
CCQ
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
0 ~ 70
8
50
单位
V
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC特性
0°C
≤
T
A
≤
70℃ ，V
CC
= 2.5V ± 0.2V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
（DC）的
地址， CAS＃ ，
RAS ＃ ， WE＃
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
参数
电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O参考电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃
输入差分电压， CK和CK ＃
输入交叉点电压， CK和CK ＃
民
2.3
2.3
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
0.3
-40
-20
-20
-10
-10
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.30
V
REF
-0.15
V
CCQ
+0.30
V
CCQ
+0.60
V
CCQ
+0.60
40
20
20
10
10
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
uA
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
1
2
3
输入漏电流
I
I
输出漏电流
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V +0.84V
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.84V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
+0.45V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.45V
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
基于
南亚
组件。
注意事项：
1. V
REF
预计是等于0.5 * V
CCQ
发送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。峰到峰的V噪音
REF
不得超过直流±2％
价值
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK＃的输入电平之间的差的量值。
电容
V
CC
= 2.5V, V
CCQ
= 2.5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的
参数
输入电容（ A0 - A12 ， BA0 - BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ， CK1 ， CK1 ＃ ）
输入电容（ DM0 - DM7 ）
数据和DQS输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ） ， CB0-7
基于
南亚
组件。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年9月
第1版
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT
民
21
13
13
13
13
13
最大
29
17
17
17
15
15
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
