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怀特电子设计
WV3EG232M64STSU-D4
初步
DDR SDRAM组件电气特性和
建议使用的工作条件
（续）
0 ° C≤牛逼
A
= 70℃ ，V
CCQ
= 2.5V ±0.2V, V
CC
= 2.5V ±0.2V
参数
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
控制&地址输入脉冲宽度
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新o非读命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
时钟半周期
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
主动阅读与自动预充电命令
自动预充电写恢复+预充电时间
符号
超过tMRD
TDS
TDH
tIPW
tDIPW
tPDEX
tXSNR
tXSRD
tREFI
tQH
THP
TQHS
tWPST
陷阱
tDAL
335
民
12
0.45
0.45
2.2
1.75
6
75
200
t
HP
- t
QHS
t
CL
分或T
CH
民
0.4
18
(t
WR
/t
CK
) + (t
RP
/t
CK
)
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
us
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
7.8
—
—
0.5
0.6
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2005年9月
第1版
11
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
