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三菱微型计算机
M30201集团
单芯片16位CMOS微机
CPU改写模式
微电脑模式和引导模式
对于CPU改写模式中的控制程序必须被写入到用户ROM或引导ROM区域中
并行I / O模式提前。 （如果该控制程序被写入到引导ROM区，该标准
串行I / O模式变得不可用。 ）
见图AA- 3有关引导ROM区域的详细信息。
普通微机模式时输入微机复位与牵引CNV
SS
引脚为低电平
P
re
LIM
in
ar
y
(V
SS
） 。在这种情况下， CPU开始在用户ROM区域使用的控制程序运行。
在引导ROM区域中的控制程序也可以用于改写用户ROM区域。
当微型计算机通过拉动P5复位
2
引脚为高电平（V
CC
） ，在CNV
SS
引脚为高电平（V
PPH
），则CPU
开始在引导ROM区域使用的控制程序运行。这种模式被称为“引导”模式。
CPU改写模式操作过程
内部闪存可进行操作编程，读取，验证，或删除它，而被置于导通
板从CPU写入命令闪存控制寄存器（地址03B4
16
,
03B5
16
）和Flash命令寄存器（地址03B6
16
） 。请注意，在CPU改写模式时，开机
ROM区域不能进行程序访问，读取，验证，或擦除操作。在此之前可以accom-
plished中，CPU写入控制程序必须被写入到引导ROM区域中的并行输入/输出
模式。下面显示了CPU改写模式操作过程。
（ 1 ）应用V
PP
轰到的CNV
SS
/V
PP
引脚和V
CC
到端口P5
2
引脚复位释放。或者，用户可以
来自用户的ROM区域，以使用JMP指令的引导ROM区跳并执行的CPU
编写控制程序。在这种情况下，设定快闪存储器的控制的CPU写模式选择位
将V到“ 1 ”之前登记
PP
轰到的CNV
SS
/V
PP
引脚。
（2）从所述引导ROM区域传送在CPU写入控制程序到内部RAM中之后，跳
在此RAM的控制程序。 （本操作说明通过这个程序来控制。 ）
（ 3）设置CPU改写模式选择位为“ 1 ” 。
（ 4 ）读取CPU改写模式监视器标志地看到， CPU改写模式处于启用状态。
<Start程序（注1 ） >
（ 5 ）通过编写软件命令的flash命令寄存器在闪存执行操作
之三。
注1 ：除上述之外，各种其它操作需要执行诸如用于输入
要写入的数据，以从外部源（例如，串行I / O ）闪烁存储器，初始化端口，并
写看门狗定时器。
<Clearing procedure>
（ 1 ）应用V
SS
在CNV
SS
/V
PP
引脚。
（ 2 ）设置CPU改写模式选择位为“ 0 ” 。
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