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三菱微型计算机
M30201集团
单芯片16位CMOS微机
描述
FL灰内存
在M30201 （闪存版）包含需要一个高电压闪存的NOR型
V
PP
电源，用于编程/擦除操作，除了在V
CC
电源为设备的运行。
对于这个闪存， 3闪速存储器模式是其中可以读取，编程和擦除：
并行I / O和标准串行I / O模式中的闪存，可以使用编程操作
聚体和一个CPU改写模式，其中闪速存储器可以由中央处理单元进行操作
P
re
LIM
in
ar
y
（中央处理器） 。每个模式中详细介绍了对后续页面。
微电脑模式
并行I / O模式
CPU改写模式
标准的串行I / O模式
00000
16
SFR
SFR
SFR
00400
16
内存
内存
内存
YYYYY
16
DF000
16
集体
可擦除/
可编程
区域
引导ROM
区域
（ 3.5K字节）
引导ROM
区域
（ 3.5K字节）
DFDFF
16
XXXXX
16
用户ROM
区域
集体
可擦除/
可编程
区域
用户ROM
区域
集体
可擦除/
可编程
区域
用户ROM
区域
FFFFF
16
注1：在CPU改写和标准串行I / O模式中，用户的ROM是唯一的可擦除/可编程的区域。
注2 ：在并行I / O模式中，区域被擦除/编程可以由地址A17的输入来选择。
用户ROM区域被选择时，该地址输入是高的，并引导ROM区域被选择
当该地址输入是低的。
型号
M30201F6
XXXXX
16
F4000
16
YYYYY
16
00BFF
16
除了普通用户ROM区存储一个微机操作控制程序，闪光灯
存储器具有用于存储一程序，以控制在CPU改写重写引导ROM区域和
标准串行I / O模式。此引导ROM区已存储标准的串行I / O模式控制方案
在它当从工厂发货。然而，用户可以写在这方面的一个重写控制程序
适合用户的应用系统。该引导ROM区可以被重写在仅并行I / O模式。
图的AA -3。闪存版的方框图
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