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三菱微型计算机
M30201集团
单芯片16位CMOS微机
CPU改写模式
CPU改写模式
在CPU改写模式，片上闪存可以进行操作控制（读取，编程，或擦除）
中央处理单元（ CPU）的。在CPU改写模式下，闪光存储器可以由操作上
读取或写入闪存控制寄存器和flash命令寄存器。图的BB -1， BB-图
2分别示出了闪速存储器的控制寄存器，和闪光指令寄存器。
此外，在CPU改写模式下， CNV
SS
引脚用于作为V
PP
电源引脚。适用的电源
P
re
LIM
in
ar
y
转移到内部RAM可以执行之前。
快闪记忆体控制寄存器0
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
电压，V
PP
H，从外部源到该引脚。
在CPU改写模式中，如图所示仅在用户ROM区AA -3可以改写;引导ROM区
不能被重写。确保程序和块指令发出只有用户ROM区。
对于CPU改写模式中的控制程序可以存储在任一用户的ROM或者引导ROM区域。在CPU
重写模式，因为闪存无法从CPU读取，改写控制程序必须
符号
FCON0
地址
03B4
16
当复位
00100000
2
0
1 0
0
位符号
位名称
功能
R W
RW
FCON00 CPU改写模式
选择位
保留位
0 ： CPU改写模式无效
1 ： CPU改写模式是有效的
该位不能写。的值，如果
读，原来是不确定的。
FCON02 CPU改写模式
显示器标志
保留位
0 ： CPU改写模式无效
1 ： CPU改写模式是有效的
必须始终设置为"0" 。
保留位
必须始终设置为"1" 。
什么也不指定。在写此位尝试，写"0".的价值，
如果看了，原来是"0" 。
保留位
必须始终设置为"0" 。
快闪记忆体控制寄存器1
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
符号
FCON1
地址
03B5
16
当复位
XXXXXX00
2
0
0
位符号
位名称
功能
R W
RW
保留位
必须始终设置为"0" 。
什么也不指定。在写这些位的尝试，写"0".的
值，如果读，原来是不确定的。
图的BB -1 。闪速存储器控制寄存器
Flash命令寄存器
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
符号
FCMD
地址
03B6
16
当复位
00
16
R W
RW
功能
软件命令的写作
＆ LT ;软件命令名称和GT ;
读取命令
程序命令
程序验证命令
擦除命令
擦除校验命令
复位命令
＆ LT ;命令码＆ GT ;
"00
16
＆ QUOT ;
"40
16
＆ QUOT ;
"C0
16
＆ QUOT ;
"20
16
＆ QUOT ;
+"20
16
＆ QUOT ;
"A0
16
＆ QUOT ;
"FF
16
＆ QUOT ;
+ "FF
6
＆ QUOT ;
图的BB -2。 Flash命令寄存器
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