MOSFET模块
SF100CB100
SF100CB100
是一个孤立的功率MOSFET模块设计用于快速swiching应用
高电压和电流具有快速恢复二极管（反向恢复时间trr的
≦300ns
）反
连接。
模块的安装基座是由对半导体元件电隔离
简单的散热片结构。
V
DSS
＝1000V
●
适合于高速开关应用。
●
低导通电阻。
●
广泛的安全工作区。
●
t
rr
≦300ns
免费轮快恢复二极管
（应用程序）
2½M4
36.0max
25.5max
41.5max
UL ; E76102 M）
（
108max
93±0.5
D
S
4½
φ6.5
S
G
24.0
2½M6
21.0
29.0
S
D
单位：
A
=最大
评级
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
TSTG
V
ISO
项
漏源电压
栅源电压
漏
当前
源出电流
总功耗
通道温度
储存温度
隔离电压（ R.M.S 。 ）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
Terminal（M6）
Terminal（M4）
交流1分钟
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.0-1.4 （ 10-14）
典型的价值
Tc＝25℃
DC
脉冲
条件
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
评级
SF100CB100
1000
±30
100
200
100
800
-40到+150
-40到+125
2500
4.7（48）
4.7（48）
1.5（15）
460
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
±0.1
4.0
1000
1.5
3.5
150
15
30
50
16000
2900
1800
19200
4200
2600
150
R
L
＝6Ω，V
GS
＝15V/5V
I
D
＝100A，R
G
＝2.2Ω
I
D
＝100A，V
GS
＝0V
I
D
＝100A，V
GS
＝15V，di/dt＝400A/
μs
MOSFET
二极管
300
600
300
1.8
300
0.16
0.64
V
ns
℃/W
19
ns
N½m
（kgf½B）
g
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
V
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
GSS
I
DSS
（ BR ）
V
DSS
（ TH ）
V
GS
（上）
R
DS
（上）
V
DS
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
条件
V
GS
＝±20V，V
DS
＝0V
V
GS
＝0V，V
DS
＝800V
V
GS
＝0V，I
D
＝1mA
V
DS
＝V
GS
，I
D
＝10mA
I
D
＝100A，V
GS
＝15V
I
D
＝100A，V
GS
＝15V
V
DS
＝10A，V
D
＝75A
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
单位
μA
mA
V
V
mΩ
V
S
pF
pF
pF
项
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
达林源击穿电压
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开关
时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
的td上）
（
tr
的td关闭）
（
tf
V
SDS
TRR
RTH J- C）热阻
（
48±0.5
63max
●
I
D
＝100A,
20.0
