MOSFET模块
SF150BA50
13.0±0.2
8.0±0.2
SF150BA50
是一个孤立的功率MOSFET模块设计用于快速swiching
高电压和电流的应用。模块的安装基座电
分离出简单的散热片结构的半导体元件。
●
I
D
＝150A,
UL ; E76102 M）
（
2-
φ6.5
80.5max
52.5max
2-M5
（深度10毫米）
V
DSS
＝500V
●
适用于高速开关应用。
●
低导通电阻。
●
广泛的安全工作区。
（应用程序）
UPS
（ CVCF ）
电机控制，开关电源，等等。
,
w
42.8max
3
1
2
4
34.0±0.2
65.0±0.2
2.8×0.8TAB＃110
31.5
29.5
8.5max
铭牌
G
S
S
2.0
q
4.0
单位：
A
=最大
评级
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
TSTG
V
ISO
项
漏源电压
栅源电压
漏
当前
源出电流
总功耗
通道温度
储存温度
隔离电压（ R.M.S 。 ）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
Terminal（M5）
交流1分钟
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
典型的价值
Tc＝25℃
DC
脉冲
Duty＝35%
条件
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
评级
SF150BA50
500
±20
150
300
150
780
-40到+150
-40到+125
2500
4.7（48）
2.7（28）
160
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
V
N½m
（kgf½B）
g
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
GSS
I
DSS
（ BR ）
V
DSS
（ TH ）
V
GS
（上）
R
DS
（上）
V
DS
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
条件
V
GS
＝±20V，V
DS
＝0V
V
GS
＝0V，V
DS
＝500V
V
GS
＝0V，I
D
＝1mA
V
DS
＝V
GS
，I
D
＝10mA
I
D
＝75A，V
GS
＝15V
I
D
＝75A，V
GS
＝15V
V
DS
＝10V，I
D
＝75A
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
90
R
L
＝4Ω，R
GS
＝50Ω，V
GS
＝15V
I
D
＝75A，R
G
＝5Ω
I
D
＝75A，V
GS
＝0V
I
D
＝75A，V
GS
＝0V，di/dt＝100A/
μs
700
0.16
180
1400
360
1.5
V
ns
℃/W
ns
80
27000
5000
2000
500
1.0
5.0
50
3.75
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
±2.0
2.0
单位
μA
mA
V
V
mΩ
V
S
pF
pF
pF
项
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
达林源击穿电压
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开关
时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
的td上）
（
tr
的td关闭）
（
tf
V
SDS
TRR
RTH J- C）热阻
（
16
