MOSFET模块
SF100BA50
SF100BA50
是一个孤立的功率MOSFET模块设计用于快速swiching
高电压和电流的应用。模块的安装基座电
分离出简单的散热片结构的半导体元件。
I
D
100A ，V
DSS
500V
适合于高速开关应用。
低导通电阻。
广泛的安全工作区。
t
rr
700ns
应用
CVCF UPS ，电机控制，开关电源，等等。
UL ; E76102 M
单位
A
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
D
P
T
Tj
TSTG
V
ISO
项
漏源电压
栅源电压
漏
当前
DC
脉冲
TC 25
税43 ％
条件
评级
SF100BA50
500
20
100
200
100
600
40
40
交流1分钟
推荐值2.5 3.9
推荐值1.5 2.5
典型的价值
25 40
15 25
2500
4.7 48
2.7 28
160
150
125
TJ 25
单位
V
V
A
A
W
反向漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
隔离电压均方根
MOUNTING
力矩
块
M6安装
终端M5
V
N×M个
KGF
B
g
TJ 25
电气特性
符号
I
GSS
I
DSS
V
BR
V
GS
R
DS
V
DS
DSS
th
on
on
项
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
达林源击穿电压
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开关
时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
热阻
V
GS
条件
20V V
DS
0V
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
1.0
500
1.0
5.0
70
3.5
60
20000
3800
1500
70
120
1100
280
1.5
700
0.21
单位
A
mA
V
V
m
V
S
pF
pF
pF
V
GS
0V V
DS
500V
V
GS
我0V
D
1mA
V
DS
V
GS
I
D
10mA
I
D
50A V
GS
15V
I
D
50A V
GS
15V
V
DS
10A V
D
50A
V
GS
0V V
DS
25V F 1.0MHz的
V
GS
0V V
DS
25V F 1.0MHz的
V
GS
0V V
DS
25V F 1.0MHz的
R
L
6
R
GS
50
I
D
50A
G
5
I
D
50A V
GS
0V
I
D
50A V
GS
0V的di / dt 100A / S
V
GS
15V
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD上
tr
TD关闭
tf
V
SDS
TRR
RTH J-
s
V
ns
/W
13
MOSFET模块
FCA50CC50
FCA50CC50
是一款双功率MOSFET模块设计用于快速swiching应用
用快恢复二极管的高电压和电流。 （2器件是串联连接的
（ TRR
≦100ns
）反
在每个MOSFET的连接。 ）的安装基座
模块被电从简单的散热片的半导体元件分离
建设。
●
I
D
＝50A,
UL ; E76102 M）
（
107.5±0.6
93±0.3
3½M5
78
V
DSS
＝500V
●
适合于高速开关应用。
●
低导通电阻。
●
广泛的安全工作区。
●
t
rr
≦100ns
快恢复二极管的自由轮。
（应用程序）
UPS
（ CVCF ）
电机控制，开关电源，等等。
,
D2 S1
q
S2
w
i
G2
u
S2
4
2 φ6.5
1
2
3
56
23
23
TAB=110
（T0.5）
30max
铭牌
e
D1
y
S1
t
G1
单位：
A
=最大
评级
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
TSTG
V
ISO
项
漏源电压
栅源电压
漏
当前
源出电流
总功耗
通道温度
储存温度
隔离电压（ R.M.S 。 ）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
Terminal（M5）
交流1分钟
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
典型的价值
Tc＝25℃
DC
脉冲
税55 ％
条件
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
评级
FCA50CC50
500
±20
50
100
50
330
-40到+150
-40到+125
2500
4.7（48）
2.7（28）
240
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
V
N½m
（kgf½B）
g
ⅵELECTRICAL
Charactistics
符号
I
GSS
I
DSS
（ BR ）
V
DSS
（ TH ）
V
GS
（上）
R
DS
（上）
V
DS
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
条件
V
GS
＝±20V，V
DS
＝0V
V
GS
＝0V，V
DS
＝500V
V
GS
＝0V，I
D
＝1mA
V
DS
＝V
GS
，I
D
＝10mA
I
D
＝25A，V
GS
＝15V
I
D
＝25A，V
GS
＝15V
V
DS
＝10V，I
D
＝25A
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
60
V
DD
＝300V，V
GS
＝15V
I
D
＝25A，R
G
＝5Ω
I
S
＝25A，V
GS
＝0V
I
S
＝25A，V
GS
＝5V，di/dt＝100A/
μs
MOSFET
二极管
80
100
520
140
2.0
100
0.38
1.67
V
ns
℃/W
ns
30
10000
1900
750
500
1.0
5.0
140
3.5
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
±1.0
1.0
单位
μA
mA
V
V
mΩ
V
S
pF
pF
pF
项
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
达林源击穿电压
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开关
时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
的td上）
（
tr
的td关闭）
（
tf
V
SDS
TRR
RTH J- C）热阻
（
1
31max
4
35±0.6
17
FCA50CC50
输出特性典型）
（
１０
０
Tj＝25
℃
脉冲测试
正向传输特性典型）
（
５
０
V
DS
10
V
脉冲测试
１V
５
漏电流I
D
A）
（
６
０
４
０
１V
０
８
V
６
V
５
V
漏电流I
D
A）
（
８
０
４
０
３
０
Tj
25
℃
２
０
１
０
０
０
４
V
G
S = V
２
０
０
０
２
４
６
８
１
０
３
４
５
６
漏源电压V
DＳ
（V）
漏源通态电阻R
Ｓ
½ ）
Ｄ
（ ½（Ω）
栅极 - 源极电压V
ＧＳ
（V）
Forward Transconductance ½½
½
（S）
５
０
正向跨导比。
漏电流
Tj
漏源导通电阻比。
漏电流
０３
．
脉冲测试
典型
25
℃
２
０
典型
０２
．
１
０
V
DS
25V
脉冲测试
Tj
100
℃
Tj
25
℃
５
０１
．
Tj
25
℃
２
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
０
0
25
5
０
75
100
125
１０
5
漏电流I
Ｄ
（A）
Ｄ
（A）
漏电流I
１００
００
输入电容，输出电容，
反向传输电容
（典型值）
西塞
安全工作区
２
１
２
０
Pw
电容C
Ｐ
）
（Ｆ
漏电流I
D
A）
（
５
２
５
２
５
D.C
.
V
G
s
0V
f
1MHz
Tj
25
℃
１０
００
科斯
CRSS
１
１
０
Pw
10
μs
100
μs
Pw
1m
s
Pw
10m
s
１
０
０
Tc
25
℃
不重复
１０
０
０
４
０
８
０
１０
２
１０
６
２０
０
２０
４
２
漏源电压V
ＤＳ
（V）
５
１
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
漏源电压V
ＤＳ
（V）
2
FCA50CC50
续流二极管的正向电压
反向恢复电流I （ A）
½
½
１０
０
４
０
反向恢复特性
典型
DIS / DT
100A/μs
V
GS
ー5
V
８
０
６
０
４
０
典型
V
G
s
0V
脉冲测试
２
０
TRR
２０
０
Tj
25
℃
LRR
１
０
TRR
１０
０
Tj
125
℃
５
LRR
５
０
25
℃
150
℃
２
０
０
０
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
２
５
１
０
２
０
５
０
２
０
１０
０
漏源电压V
ＳＤＳ
（V）
（A）
源电流 -
Ｓ
Ｉ
热阻抗
θ
- （℃/Ｗ）
½½
马克斯。
热阻抗
θ
- （℃/Ｗ）
½½
１
０
５
２
瞬态热阻抗
（ＭＯ Ｆ Ｔ）
ＳＥ
５
２
１
０
０
５
50msec-10sec
瞬态热阻抗I D ）
（Ｄ Ｏ Ｅ
马克斯。
50msec-10sec
１
-１
０
50
μ
sec-10sec
５
1msec-50msec
２
１
-１
０
５
１
½
５ ½１ ０ ０ ½ ５ ０ １
０ ０ ½２ ０
０½
２
½
２
５ １½２½ ５½
½ ０
０
０
５ １
０
２
２
½
２
５ １½２½ ５½
½ ０
０
０
５ １
０
１
-２
０
５ μ１ ０ ０ μ ５ ０ １
０ ０ μ２ ０
０μ ½
５ ½１ ０ ０ ½ ５ ０ １
０ ０ ½２ ０
０½
Time½
（秒）
时间（秒）
½
3
Reverse Recovery Time t ½
½
（纳秒）
４０
０
源电流-I
Ｓ
（A）
MOSFET模块
FCA75CC50
FCA75CC50
是一款双功率MOSFET模块设计用于快速swiching应用
的高电压和电流。
（2
设备与一个快恢复二极管串联连接的
（ TRR
≦100ns
）反
在每个MOSFET的连接。 ）的安装基座
模块被电从简单的散热片的半导体元件分离
建设。
V
DSS
＝500V
●
适合于高速开关应用。
●
低导通电阻。
●
广泛的安全工作区。
●
t
rr
≦100ns
快恢复二极管的自由轮。
（应用程序）
UPS
（ CVCF ）
电机控制，开关电源，等等。
,
D2 S1
q
S2
w
i
G2
u
S2
UL ; E76102 M）
（
107.5±0.6
93±0.3
3½M5
78
1
2
3
56
23
23
TAB=110
（T0.5）
30max
铭牌
e
D1
y
S1
t
G1
单位：
A
=最大
评级
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
TSTG
V
ISO
项
漏源电压
栅源电压
漏
当前
源出电流
总功耗
通道温度
储存温度
隔离电压（ R.M.S 。 ）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
Terminal（M5）
交流1分钟
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
典型的价值
Tc＝25℃
DC
脉冲
税35 ％
条件
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
评级
FCA75CC50
500
±20
75
150
75
430
-40到+150
-40到+125
2500
4.7（48）
2.7（28）
240
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
V
N½m
（kgf½B）
g
（Tj＝25℃）
条件
V
GS
＝±20V，V
DS
＝0V
V
GS
＝0V，V
DS
＝500V
V
GS
＝0V，I
D
＝1mA
V
DS
＝V
GS
，I
D
＝10mA
I
D
＝40A，V
GS
＝15V
I
D
＝40A，V
GS
＝15V
V
DS
＝10V，I
D
＝40A
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
70
V
DD
＝300V，V
GS
＝15V
I
D
＝40A，R
G
＝5Ω
I
S
＝40A，V
GS
＝0V
I
S
＝40A，V
GS
＝5V，di/dt＝100A/
μs
MOSFET
二极管
80
140
700
210
2.5
100
0.29
1.67
V
ns
℃/W
4
ns
40
13500
2500
1000
500
1.0
5.0
110
4.4
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
±1.0
1.0
单位
μA
mA
V
V
mΩ
V
S
pF
pF
pF
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
GSS
I
DSS
（ BR ）
V
DSS
（ TH ）
V
GS
（上）
R
DS
（上）
V
DS
项
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
达林源击穿电压
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开关
时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
的td上）
（
tr
的td关闭）
（
tf
V
SDS
TRR
RTH J- C）热阻
（
31max
4
35±0.6
●
I
D
＝75A,
17
4
2 φ6.5
FCA75CC50
输出特性典型）
（
１０
０
Tj＝25
℃
脉冲测试
１V
５
６
０
正向传输特性典型）
（
V
DS
10V
脉冲测试
漏电流I
D
A）
（
漏电流I
D
A）
（
８
０
１V
０
８
V
６
V
５
V
５
０
４
０
Tj
６
０
４
０
４
V
G
S = V
25℃
３
０
２
０
１
０
２
０
０
０
２
４
６
８
１
０
Forward Transconductance ½½
½
（S）
１０
０
５
0
正向跨导比。
漏电流
漏源通态电阻R
Ｓ
½（Ω）
Ｄ
（½ ）
漏源电压V
ＤＳ
（V）
０
０
３
４
５
６
栅极 - 源极电压V
ＧＳ
（V）
０３
．
漏源导通电阻比。
漏电流
V
GS
10V
脉冲测试
典型
２
０
V
DS
10V
脉冲测试
Tj
25℃
（典型值）
０２
．
Tj
100
℃
１
０
０１
．
Tj
25
℃
５
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
Tj
25
℃
０
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
漏电流I
Ｄ
（A）
漏电流I
Ｄ
（A）
输入电容，输出电容，
反向传输电容
（典型值）
2
１００
００
西塞
安全工作区
Pw
电容C
Ｐ
）
（Ｆ
漏电流I
D
A）
（
１
２
０
5
Pw
10μ
s
Pw
10
s
V
GS
0V
f
1MHz
Tj
25℃
２
１
０
1
Pw
D.C
.
1m
ms
0μ
s
10
１０
００
科斯
CRSS
5
２
１
0
０
５
Tc
25
℃
不重复
１０
０
０
２
４
０
８
０
１０
２
１０
６
２０
０
２０
４
５
１
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
漏源电压V
ＤＳ
（V）
漏源电压V
ＤＳ
（V）
5
MOSFET模块
SF100BA50
SF100BA50
是一个孤立的功率MOSFET模块设计用于快速swiching
高电压和电流的应用。模块的安装基座电
分离出简单的散热片结构的半导体元件。
I
D
100A ，V
DSS
500V
适合于高速开关应用。
低导通电阻。
广泛的安全工作区。
t
rr
700ns
应用
CVCF UPS ，电机控制，开关电源，等等。
UL ; E76102 M
单位
A
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
D
P
T
Tj
TSTG
V
ISO
项
漏源电压
栅源电压
漏
当前
DC
脉冲
TC 25
税43 ％
条件
评级
SF100BA50
500
20
100
200
100
600
40
40
交流1分钟
推荐值2.5 3.9
推荐值1.5 2.5
典型的价值
25 40
15 25
2500
4.7 48
2.7 28
160
150
125
TJ 25
单位
V
V
A
A
W
反向漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
隔离电压均方根
MOUNTING
力矩
块
M6安装
终端M5
V
N×M个
KGF
B
g
TJ 25
电气特性
符号
I
GSS
I
DSS
V
BR
V
GS
R
DS
V
DS
DSS
th
on
on
项
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
达林源击穿电压
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开关
时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
热阻
V
GS
条件
20V V
DS
0V
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
1.0
500
1.0
5.0
70
3.5
60
20000
3800
1500
70
120
1100
280
1.5
700
0.21
单位
A
mA
V
V
m
V
S
pF
pF
pF
V
GS
0V V
DS
500V
V
GS
我0V
D
1mA
V
DS
V
GS
I
D
10mA
I
D
50A V
GS
15V
I
D
50A V
GS
15V
V
DS
10A V
D
50A
V
GS
0V V
DS
25V F 1.0MHz的
V
GS
0V V
DS
25V F 1.0MHz的
V
GS
0V V
DS
25V F 1.0MHz的
R
L
6
R
GS
50
I
D
50A
G
5
I
D
50A V
GS
0V
I
D
50A V
GS
0V的di / dt 100A / S
V
GS
15V
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD上
tr
TD关闭
tf
V
SDS
TRR
RTH J-
s
V
ns
/W
13
QQ：2881677436 复制
