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半导体
MSM548128BL
AC特性
测量条件：
输入脉冲电平........................... V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.4 V
输出参考电平.................. V
OH
= 2.0 V, V
OL
= 0.8 V
上升和下降时间................. 5纳秒
输出负载.................................... 1 TTL + 100 pF的
输入时序参考电平........高= 2.2 V ，低= 0.8 V
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
MSM548128BL-70
MSM548128BL-80
分钟。
130
190
—
—
—
25
—
0
80n
40
0
30
0
0
15
—
0
30
30
80
25
0
5
—
3
40
30
30n
130
8
160
0
—
马克斯。
—
—
80
30
30
—
25
—
10m
—
—
—
—
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
25
50
—
—
8m
—
—
—
—
8
单位注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ms
ns
ns
ms
6
11
6
6
参数
随机读取写入周期时间
随机读修改写周期时间
CE
存取时间
OE
存取时间
芯片禁用输出高阻
CE
到输出低-Z
OE
禁用输出在高Z
OE
在低Z输出
CE
脉冲宽度
CE
预充电时间
地址建立时间
地址保持时间
读命令设置时间
读命令保持时间
RFSH
命令保持时间
RFSH
延迟时间（待机模式）
CS建立时间
CS保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
芯片使能时间
输入数据建立时间
输入数据保持时间
输出写入结束活动
写使能在高阻输出
转换时间
RFSH
从延迟时间
CE
RFSH
预充电时间
RFSH
脉冲宽度（自动刷新）
自动刷新周期时间
RFSH
脉冲宽度（自刷新）
CE
从延迟时间
RFSH
在自刷新模式
CE
从延迟时间
RFSH
在自动刷新模式
刷新周期（ 512周期/ 8毫秒）
符号
t
RC
t
RWC
t
CEA
t
OEA
t
CHZ
t
CLZ
t
OHZ
t
OLZ
t
CE
t
P
t
AS
t
AH
t
RCS
t
RCH
t
RHC
t
RCD
t
CSS
t
CSH
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
t
T
t
RFD
t
FP
t
FAP
t
FC
t
FAS
t
RFS
t
RFA
t
REF
分钟。
120
170
—
—
—
25
—
0
70n
40
0
25
0
0
15
—
0
25
25
70
25
0
5
—
3
40
30
30n
120
8
150
0
—
马克斯。
—
—
70
30
30
—
20
—
10m
—
—
—
—
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
20
50
—
—
8m
—
—
—
—
8
6/12
