DAC8554
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SLAS431A - 2005年6月 - 修订2005年8月
操作示例
例1 ：写入数据缓冲区A;通过缓冲液D ;负载DAC A通过DAC 同时
1日 - 写入数据缓冲区答：
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
0
DC
X
DAC SEL 1
0
DAC SEL 0
0
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
第二 - 写入数据缓冲区B：
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
0
DC
X
DAC SEL 1
0
DAC SEL 0
1
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
3 - 写入数据缓冲区C：
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
0
DC
X
DAC SEL 1
1
DAC SEL 0
0
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
4 - 写入数据缓冲区D和同时更新所有DAC ：
A1
0
A0
0
LD1
1
LD0
0
DC
X
DAC SEL 1
1
DAC SEL 0
1
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
该DAC A， B DAC ， DAC C和DAC D模拟输出，同时在沉降到指定的值
第四届写序列的完成。 （ DAC的24个SCLK下降沿后电压同步更新
在第四写周期） 。
例2 ：新的数据加载到DAC A通过DAC 按顺序
1日 - 写入数据缓冲区A和加载DAC A ： DAC完成后， A输出稳定到指定的值：
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
1
DC
X
DAC SEL 1
0
DAC SEL 0
0
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
第二 - 写入数据缓冲区B和负载DAC B：完成后， DAC B输出稳定到指定的值：
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
1
DC
X
DAC SEL 1
0
DAC SEL 0
1
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
3 - 写入数据缓冲液C和负载DAC C：完成后， DAC C的输出稳定到指定的值：
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
1
DC
X
DAC SEL 1
1
DAC SEL 0
0
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
4 - 写入数据缓冲区D和负载DAC D：完成后， DAC D输出的稳定到指定的值：
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
1
DC
X
DAC SEL 1
1
DAC SEL 0
1
PD0
0
DB15
D15
—
—
DB1
D1
DB0
D0
每个写入周期结束后， DAC模拟输出稳定到规定的电压。
例3 ：掉电DAC A和DAC B为1 kΩ和掉电DAC C和DAC D钮100 kΩ的
同时
写掉电命令数据的缓冲液A： DAC A为1 kΩ的。
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
0
DC
X
DAC SEL 1
0
DAC SEL 0
0
PD0
1
DB15
0
DB14
1
DB13
X
—
—
写掉电命令数据缓冲区B： DAC B为1 kΩ的。
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
0
DC
X
DAC SEL 1
0
DAC SEL 0
1
PD0
1
DB15
0
DB14
1
DB13
X
—
—
写掉电命令数据缓冲区C： DAC C到1千欧。
A1
0
A0
0
LD1
0
LD0
0
DC
X
DAC SEL 1
1
DAC SEL 0
0
PD0
1
DB15
1
DB14
0
DB13
X
—
—
18
