DAC8554
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SLAS431A - 2005年6月 - 修订2005年8月
表1. DAC8554掉电模式
PD0 （ DB16 ）
1
1
1
1
PD1 （ DB15 ）
0
0
1
1
PD2 （ DB14 ）
0
1
0
1
输出高阻抗
输出通常为1 kΩ到GND
输出通常为100 kΩ到GND
输出高阻抗
经营模式
SYNC中断
在一个正常的写序列中， SYNC线被保持
低为SCLK和的至少24下降沿的
寻址的DAC寄存器更新24日下跌
边缘。但是，如果SYNC之前的拉高
24个下降沿，它作为一个中断给写
序列;移位寄存器被复位，并且写
序列被丢弃。数据既不更新
缓冲区的内容， DAC寄存器的内容，也没有改变
在运行模式时（见
图50） 。
DB23
A1
DB11
D11
D10
D9
D8
D7
D6
A0
LD1
LD0
X
DAC选1
上电复位
该DAC8554包含一个上电复位电路，
控制电期间的输出电压。上
电时， DAC寄存器以零填充和
的输出电压被设置为零刻度;他们仍然
直到有一个有效的写序列和load命令
是由以相应的DAC通道。这是非常有用的
在应用中，重要的是要知道的状态
各DAC的输出的同时，该设备是在
加电的过程。无器件的引脚应
拉高之前加电的设备。
DB12
DAC选择0
PD0
D15
D14
D13
D12
DB0
D5
D4
D3
D2
D1
D0
图49. DAC8554数据输入寄存器的格式
表2.控制矩阵
DB23
A1
DB22
A0
DB21
LD 1
DB20
LD 0
DB19
别
CARE
DB18
DAC SEL 1
DB17
DAC SEL 0
DB16
PD0
DB15
最高位
DB14
MSB-1
DB13-DB0
MSB-2...LSB
描述
（地址选择）
0/1
0/1
见下文
这个地址选择1 4在可能的设备
根据每个设备的地址单SPI数据总线
引脚（S ）的状态。
0
0
0
0
1
0
1
0
SEE
表1
数据
SEE
表1
数据
0
数据
数据
数据
数据
0
写缓冲液A与数据
写入的数据缓冲区B
写缓冲液C数据
写入的数据缓冲液D
写缓存（通过DB17和DB18选择）与
掉电命令
写数据和负载DAC缓冲（由选定
DB17和DB18 ）
写具有掉电命令和负载缓冲
DAC （通过DB17和DB18选择）
写数据到缓冲区（通过DB17和DB18选择）
然后同时从加载所有DAC的
相应的缓冲区。
0
写具有掉电命令缓冲区（选定
DB17和DB18 ），然后加载所有DAC simul-
taneously从它们对应的缓冲器。
A0和A1应
对应于
包地址
通过销13集
14 。
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
1
0
1
0
1
（ 00 ， 01 ，10，或11）
（ 00 ， 01 ，10，或11）
（ 00 ， 01 ，10，或11）
（ 00 ， 01 ，10，或11）
1
0
X
（ 00 ， 01 ，10，或11）
1
SEE
表1
广播模式
X
X
1
1
X
0
X
X
X
同时更新所有DAC8554的所有通道
在系统中与存储在每个信数据的设备
内尔斯临时寄存器。
写信给所有设备和负载SR数据所有DAC
0
写信给所有设备和负载掉电所有DAC
命令SR 。
X
X
X
X
1
1
1
1
X
X
1
1
X
X
0
1
SEE
表1
数据
16
